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京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 | 論文
- 酸素励起活性種を用いた高品質SiO_2膜の低温形成
- 酸素活性種を用いた高品質極薄SiO_2膜の形成とMOSFETへの応用(関西支部研究例会の講演要旨(平成9年度第1回))
- MOSデバイス用極薄SiO_2膜の低温形成
- 酸素活性種によるシリコン極薄ゲート酸化膜の低温形成とMOSFETへの応用
- ECRリモートプラズマ法を用いた極薄SiO_2膜の低温形成
- 低エネルギー集束イオンビームによる薄膜形成
- サマリー・アブストラクト
- サマリー・アブストラクト
- サマリー・アブストラクト
- サマリー・アブストラクト
- サマリー・アブストラクト
- 窒化物ターゲットを用いた高周波スパッタリング法によるハフニウム及びタンタル窒化物薄膜の形成と評価
- マグネトロンスパッタ法による遷移金属炭化物薄膜の形成と冷陰極材料としての評価
- サマリウム金薄膜の仕事関数評価
- 18aA06 MOMBEによるサファイア(0001)上への立方晶・六方晶GaNのエピタキシャル成長(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- 分子線エピタキシーによるZrB_2基板上GaNのヘテロエピタキシャル成長
- ZnMgSSeのMOMBE成長と評価
- GaAs(110)面上への高品質ZnSe系半導体のMBE成長
- RFスパッタリングによるPLZT薄膜の作成
- Si基板上にヘテロエピタキシャル成長したGaP層のひずみ評価