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京都大学大学院工学研究科電子工学 | 論文
- 低転位GaNの時間 : 空間分解光熱変換過程の観測(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 低転位GaNの時間-空間分解光熱変換過程の観測(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 5a-E-2 GaN量子ドットの多励起子効果
- 29a-K-3 II-VI族量子井戸構造の高密度励起下における時間分解分光
- 光MOVPE成長ZnSeの熱処理効果と評価
- Alg_3薄膜のキャリア伝導
- 時間分解分光によるInGaN量子井戸構造の発光ダイナミクス
- Optical Properties of ZnCdSe/ZnSSe Strained-Layer Quantum Wells
- Estimation of Critical Thicknesses and Band Lineups in ZnCdSe/ZnSSe Strained-Layer System for Design of Carrier Confinement Quantum Well Structures
- Metalorganic Molecular Beam Epitaxy of Zn_Cd_xS_ySe_ Quaternary Alloys on GaAs Substrate
- On the Properties of ZnSe/(NH_4)_2S_x-Pretreated GaAs Heterointerfaces
- 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- InGaN系半導体デバイスの発光機構(半導体エレクトロニクス)
- InGaNレーザダイオード構造における光ゲイン生成ダイナミクス
- 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
- 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
- 25pK-6 InGaN中の低次元ナノ構造からの発光
- InGaN量子井戸発光デバイスのふく射再結合機構 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構