スポンサーリンク
京都大学大学院工学研究科電子工学 | 論文
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- 青色発光GaNの微細構造と発光特性--なぜよく光るか?もっと光らせるには (日本電子顕微鏡学会第43回シンポジウム論文集--21世紀へ向けての新技術の展開--平成10年10月28日(水)〜30日(金),千葉大学けやき会館〔含 著者名索引〕) -- (新デバイス材料開発技術の最前線)
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- 真空蒸着法によるPbS_xSe_のエピタキシャル薄膜 : 融液成長と蒸着膜
- GaN/SiC基板上GaN系半導体のMBE成長
- Synthesis of BaTiO_3 Thin Films Substituted with Hafnium and Zirconium by a Laser Ablation Method Using the Fourth-harmonic Wave of a YAG Laser
- Zn(S,Se)-GaAsヘテロエピタキシャル成長と積層構造の作製 : エピタキシーI
- Preparation and Electrical Properties of PZT Thin Film Capacitors for Ferroelectric Random Access Memory
- Preparation of La-Modified Lead Titanate Film Capacitors and Influence of SrRuO_3 Electrodes on the Electrical Properties
- InGaN単一量子井戸における双ピーク発光の成長温度依存性(レーザ・量子エレクトロニクス)
- バルクZnO基板の特性とホモエピタキシャル成長(半導体エレクトロニクス)
- 白色発光素子を用いた外科手術用照明ゴーグルの開発
- LEDの医療応用の可能性;ロボット手術での赤の演色性の改善の重要性
- 有機薄膜マルチ構造の真空作製と発光ダイナミクス
- Zn系薄膜の各種作製法とその諸特性
- GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用
- GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用