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三菱電機 Ulsi開研 | 論文
- DD(Deep Depletion)MOSFETおよびBCCDにおける狭チャンネル効果の定量的評価法
- レジスト寸法の簡易予測方法
- 3次元形状不純物統合化プロセスシミュレータ
- 応力依存の粘性係数を考慮した粘弾性酸化シミュレーションの安定解法
- 初期値の連続変形を考慮したホモトピー法による動作点解析
- 超低消費電力SRAM用シングルビット線クロスポイントデコード方式
- DRAMの電源投入時における基盤電位制御回路
- 光化学反応を用いたCVD技術の最近の動向 (光による薄膜電子材料の製造と光エネルギ-の変換材料)
- KrFエキシマ転写技術 (特集"半導体") -- (基盤技術)
- HWD(多階層ワ-ド選択)方式を用い,次世代への展望を拓いた4MビットCMOS SRAMの開発 (大容量・超高速にわいた"半導体のオリンピック"ISSCC′90(国際固体回路会議)にみる最新半導体デバイス技術)
- SiH4プラズマCVDにおける膜前駆ラジカル組成に関する研究
- 大容量SRAMにおけるT型ビット線を用いた階層ビット線構成
- 3次元回路素子技術 (〔三菱電機株式会社〕研究所50周年記念特集)
- SEMによるSi接合の観察 : 半導体 (圧力効果, 電子顕微鏡による観察)
- TEOS/O3常圧CVD反応解析と装置開発
- 位相シフトリソグラフィ技術 (メモリ・マイクロコンピュ-タ) -- (要素技術)