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三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 | 論文
- C-10-8 ***電流切替回路による低電圧動作HBT電力増幅器の歪み改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-5 HEMTを用いたPDC用0.1cc送信電力増幅器モジュール
- GaAs IC Au配線におけるエレクトロマイグレーション
- GaAsゲートアレイ用デジタル可変遅延マクロセルの開発
- ディジタル可変遅延回路マクロセル搭載可能 GaAs 10KゲートGate Array
- C-2-36 F級及び逆F級HBT電力増幅器におけるIM3解析(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- F級及び逆F級高周波増幅器の効率に関する研究(マイクロ波,ミリ波)
- C-10-4 HBT を用いた携帯電話用高効率増幅器における入力高調波整合の効果
- 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 計測器向け7.0ps分解能GaAsディジタル可変遅延マクロセル
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- メッシュ状エアブリッジを用いたディジタル可変遅延マクロセル搭載GaAs 100Kgatesゲートアレイ
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- V帯ドレイン注入/レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
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- Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器
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- FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ : 次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて)
- FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ : 次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて)