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三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 | 論文
- C-2-17 Ku 帯 MMIC 電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討
- C-2-16 ドレインバイアス共通化 Ku 帯 MMIC 電力増幅器
- 衛星搭載用K帯高効率MMIC電力増幅器 (特集 化合物半導体)
- C-2-2 APAA 搭載衛星用18GHz帯MMIC電力増幅器
- 50%電力付加効率K帯MMIC増幅器
- C-2-33 ワイヤ長のばらつきを考慮した18GHz帯高出力増幅器
- コンデンサ装荷並列ダイオードMMICリニアライザを用いた18GHz帯高出力増幅器の歪補償
- C-10-12 マイクロ波時間波形測定によるHBTの最大動作領域解析
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- InP 気相エピタキシャル成長における重力効果(無重力下における結晶成長)
- GSM/EDGEデユアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- GSM/EDGEデュアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- C-10-2 バイアス点及び利得圧縮量を変えた場合のF級と逆F級の効率比較
- C-2-20 逆F級増幅器における動作点と高調波位相の関係に関する考察
- C-10-19 低インピーダンス整合技術を用いた高効率電力増幅器
- C-10-17 5GHz帯HBT-MMIC低雑音ドライバとスイッチの試作
- C-10-16 マルチフィンガーHBTの熱均一動作のためのバラスト抵抗設計
- C-2-21 F級および逆F級高効率増幅器における入力高調波負荷の影響
- SC-7-1 F級および逆F級増幅器の考察
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発