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三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 | 論文
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- V帯ドレイン注入 : レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- V帯ドレイン注入/レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- 副共振器を用いたKa帯高出力モノリシックHEMT電圧制御発振器
- モノリシック発振器における位相雑音のドレイン電圧依存性に関する一考察
- Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器
- V帯モノリシックドレインミクサ
- AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMTを用いた60GHz帯MMIC直接発振器
- ミリ波帯低雑音PHEMTの耐γ線特性
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- 50%電力付加効率K帯MMICの増幅器
- C-2-4 利得平坦化プリマッチ回路を用いたK帯2W MMIC電力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-30 非対称形状の電力合成器を用いた5GHz帯10W MMIC電力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ : 次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて)
- FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ「次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて」)
- FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ)(「次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて」)