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三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 | 論文
- 50%電力付加効率K帯MMIC増幅器
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- 1.8V動作Bluetooth用RF-CMOSトランシーバ
- A-1-14 低電圧動作可能なチャネル選択フィルタを用いて実現した1.8V動作RFCMOSトランシーバLSI
- 2.4GHz帯1.8V動作のCMOS RFフロントエンドICの試作
- C-10-18 0.18μmメッシュアレイMOSFETの高周波特性に関する検討
- 2.4GHz帯Si-CMOS MMICフロントエンド (「VLSI一般」)
- C-10-7 2.4GHz/5.2GHz帯Si-CMOS MMIC低雑音増幅器
- C-10-11 2.4GHz帯 Si-CMOSフロントエンドMMICの試作
- C-10-2 Si-MOSFETの小信号等価回路パラメータ抽出法に関する検討
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- FETセル分割整合形Ku帯高出力HFET増幅器
- FETセル分割整合形Ku帯20W HFET増幅器
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- AlInAs/GaInAs HEMTにおけるFの挙動と高温通電劣化への影響
- AlInAs/GaInAs HEMTにおけるFの挙動と高温通電劣化への影響
- AlInAs/GaInAs系高電子移動度トランジスタのフッ素混入による劣化
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発