FETセル分割整合形Ku帯高出力HFET増幅器
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概要
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高出力FET増幅器の高出力化を図る1つの方法として, FETのゲート幅を増大することかあげられる. しかしKu帯以上の高い周波数帯になると, FETのゲート幅の増大に伴う利得および出力の劣化が著しく, 高利得および高出力を示す高出力増幅器を設計することか難しくなる. ここではFETセルを分割して整合をとるFETセル分割整合方式を用いてKu帯10Wおよび20W増幅器を設計, 試作した結果について述べる. ゲート幅1.5mmの単位FET 12個から構成されるFETを4分割し, 分割されたFETに対して整合をとることより, ゲート幅18mmのFETの有する最大有能電力利得にほぼ等しい利得を得ることかできた. この結果はFETセル分割整合方式の採用により, FETの有する性能を十分に引き出せていることを示している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-20
著者
-
辻 聖一
三菱電機株式会社
-
宇土元 純一
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
笠原 通明
三菱電機株式会社
-
伊藤 康之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
宇土元 純一
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
稲見 和喜
三菱電機鎌倉製作所
-
伊藤 康之
三菱電機株式会社
-
辻 聖一
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
土子 昭
三菱電機株式会社
-
稲見 和喜
三菱電機株式会社
-
伊東 康之
三菱電機株式会社
-
伊東 康之
宇宙開発事業団筑波宇宙センタ
-
土子 昭
三菱電機株式会社鎌倉製作所
-
宇土元 純一
三菱電機株式会社
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