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三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 | 論文
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- 携帯端末用HBT電力増幅器,AWAD2006)
- 携帯端末用HBT電力増幅器
- Cat-CVD法によるAlGaN/GaN HEMT表面のSiN膜パッシベーション(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
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- 移動体通信用900MHz帯HBT MMIC増幅器
- C-10-7 5GHz帯CMOSフロントエンドMMIC
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
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- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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- C-10-6 CDMA端末用2.4V低リファレンス電圧動作InGaP-HBT電力増幅器(C-10.電子デバイス,一般講演)
- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- Outside-Base/Centor-Via-Hole形HBTデュアルバンドMMIC増幅器
- C-10-2 3.2V動作GSM900/1800用HBT-MMIC電力増幅器
- A・P2000-69 / SAT2000-66 / MW2000-69 HPF / LPF結合型段間整合回路を用いたL帯高効率・低歪み高出力増幅器モジュール
- A・P2000-69 / SAT2000-66 / MW2000-69 HPF/LPF結合型段間整合回路を用いたL帯高効率・低歪み高出力増幅器モジュール
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- HPF/LPF結合型段間整合回路を用いたL帯高効率・低歪み高出力増幅器モジュール
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)