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三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 | 論文
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器
- C-10-5 GaAs AC結合スタック型ダイオードステップ減衰器の歪み特性の改善(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-2-27 Outside-Base/Center-Via-HoleレイアウトHBTを用いたGSM900/DCS1800デュアルバンドMMIC増幅器
- 76GHz帯ミリ波レーダー用低雑音ハーモニックミキサMMIC(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- 76GHz帯ミリ波レーダー用低雑音ハーモニックミキサMMIC(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- GaAs基板上のMIM(Metal Insulator Metal)キャパシタへの重粒子照射
- Pseudomorphic HEMT及びDual Gate GaAs MES-FET MMICのγ線照射効果
- 3)一電源化2〜18GHz帯モノリシック分布型増幅器(無線技術研究会(第140回))
- 一電源化2〜18GHz帯モノリシック分布型増幅器
- MOD法によるBST薄膜を用いた20GHz帯チューナブル移相器とその360度デジタルPHEMT IC移相器への応用
- MOD法によるBST薄膜を用いた20GHz帯チューナブル移相器とその360度デジタルPHEMT IC移相器への応用(ミリ波技術/一般)
- MOD法によるBST薄膜を用いた20GHz帯チューナブル移相器とその360度デジタルPHEMT IC移相器への応用(ミリ波技術/一般)
- C-2-34 埋込みPHS構造HEMTを用いた0.5W Q帯電力増幅器MMIC
- 0.7W Ka帯電力増幅器MMIC
- GaAs IC Au配線におけるエレクトロマイグレーション
- GaAs IC Au配線におけるエレクトロマイグレーション
- 集中定数型C帯低雑音増幅器
- Dual Gate HEMTを用いたQ帯可変利得増幅器
- Dual Gate HEMTを用いたQ帯 低雑音可変利得増幅器
- パルスRF/パルスI-V測定を用いたGaAs FET評価