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三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 | 論文
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- Dual Gate HEMTを用いたQ帯可変利得増幅器
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- 表面洗浄処理がGaAs FETsのデバイス特性に及ぼす影響(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- U帯高出力HEMT
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- ミリ波帯オンウエハ自動評価技術
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- 5GHz帯無線通信用InGaP/GaAs HBT MMIC低雑音増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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- 10Gbit/s InGaP/GaAs HBTドライバIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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