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三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 | 論文
- C-10-1 10Gbit/s InGap/GaAs HBT ドライバ IC
- 広温度範囲動作1.3μm帯CATV用DFBレーザ
- C-10-9 GaAs HBT RF検波回路の基本検討(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 GaAs AC 結合スタック型ダイオードスイッチの基本特性と減衰器への応用(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-10-12 GaAs ダイオードスイッチの RF 基本特性と増幅器への応用
- アナログ伝送用DFB-LD
- Dual Gate HEMTを用いたQ帯低雑音可変利得増幅器MMIC (特集"半導体")
- C-10-10 カプラ及びアッテネータ内蔵型W-CDMA用HBT電力増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-9 HBT電力増幅器におけるアナログ方式***電流制御の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-4-14 43Gbps RZ-DQPSK送信器用MZ変調器集積波長可変DFBレーザアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 多段増幅器のゲインエクスパンション特性の補償法に関する検討
- 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-11 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガー FET の安定化
- 基地局用高出力FET (特集 光・マイクロ波デバイス)
- 複数個の閉ループを有するマイクロ波電力増幅器のループ発振の計算法およびFETセル分割整合による高安定化
- 複数個の閉ループを有するマイクロ波電力増幅器のループ発振の計算法およびFETセル分割整合による高安定化
- アイソレーション抵抗装荷によるFETセル分割整合形高出力増幅器の高安定化