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三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所 | 論文
- 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 無線通信用カレントミラー型GaAs HBT RF検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-2-6 高調波負荷整合回路付きW帯2倍波取り出し型発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高調波負荷を最適化したW帯2倍波高出力発振器
- C-10-18 Ku帯用高出力内部整合型Hetero-structure FET(C-10.電子デバイス)
- C-10-22 10Gbit/sフリップフロップ内蔵分布型EA変調器駆動IC
- 携帯端末基地局用100W出力HFET
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- K帯WSi/Au T型埋め込みゲート高出力HEMT
- 12 GHz帯内部整合高出力高効率HEMT
- 結合線路によりインピーダンス整合したミリ波帯MMIC増幅器
- AlGaAs/InGaAs HEMTを用いた10Gb/s EA変調器ドライバIC
- HEMTを用いたPDC用高出力増幅器モジュール
- 60GHz帯高出力PHEMT
- InP HEMTを用いた低局発電力駆動V帯モノリシックResistiveミクサ
- GaAsプレーナー形ショットキーダイオードのエレクトロマイグレーション耐性
- U帯高出力HEMT
- C-2-14 小形・広帯域Bridged-T形移相回路(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 計測器向け7.0ps分解能GaAsディジタル可変遅延マクロセル