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三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所 | 論文
- メッシュ状エアブリッジを用いたディジタル可変遅延マクロセル搭載GaAs 100Kgatesゲートアレイ
- ディジタル可変遅延マクロセル搭載可能GaAs 100K gateゲートアレイ
- 60GHz帯イメージリジェクションハーモニックミクサ
- Ku帯WSi/Au T型埋め込みゲートGaAs高出力HFET
- クエン酸系エッチャントによるGaAs/AlGaAsヘテロ構造の高選択エッチング
- 共振用インダクタを内蔵したミリ波帯FETスイッチ
- 1.4W, K帯小型モノリシック電力増幅器
- AlGaAs/InGaAsダブルヘテロHEMTを用いた高出力60GHz・70GHz帯モノリシック発振器
- C-10-1 受動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 能動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-17 GaAs基板上に作製したカプラ付きHBT RF検波回路の基本検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-16 増幅段バイパス型利得切替HBT増幅器に関する検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 2.5/3.5GHz帯InGaP HBT電力増幅器モジュール(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 GaAs HBT RF検波回路に関する基本検討(2)(C-10.電子デバイス,一般講演)
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 第28回欧州マイクロ波会議出席報告
- V帯ドレイン注入 : レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- V帯ドレイン注入/レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- レジスティブミクサの動作解析
- C-2-12 レジスティブミクサの動作解析