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三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所 | 論文
- 副共振器を用いたKa帯高出力モノリシックHEMT電圧制御発振器
- モノリシック発振器における位相雑音のドレイン電圧依存性に関する一考察
- Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器
- V帯モノリシックドレインミクサ
- AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMTを用いた60GHz帯MMIC直接発振器
- 980nmポンプレーザの波長変化抑制 : メトロネットワーク用980nmポンプレーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- 50%電力付加効率K帯MMIC増幅器
- C-10-12 マイクロ波時間波形測定によるHBTの最大動作領域解析
- C-10-8 マイクロ波時間波形測定システム
- C-2-21 F級および逆F級高効率増幅器における入力高調波負荷の影響
- SC-7-1 F級および逆F級増幅器の考察
- C-10-8 ***電流切替回路による低電圧動作HBT電力増幅器の歪み改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-5 HEMTを用いたPDC用0.1cc送信電力増幅器モジュール
- GaAs IC Au配線におけるエレクトロマイグレーション
- GaAsゲートアレイ用デジタル可変遅延マクロセルの開発
- ディジタル可変遅延回路マクロセル搭載可能 GaAs 10KゲートGate Array
- 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 計測器向け7.0ps分解能GaAsディジタル可変遅延マクロセル