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三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所 | 論文
- 計測器向け7.0ps分解能GaAsディジタル可変遅延マクロセル
- メッシュ状エアブリッジを用いたディジタル可変遅延マクロセル搭載GaAs 100Kgatesゲートアレイ
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- ソースインダクタ装荷簡易型リニアライザによる相互変調歪特性の改善
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- V帯ドレイン注入/レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- レジスティブミクサの動作解析
- Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器
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- 50%電力付加効率K帯MMIC増幅器
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- 第28回欧州マイクロ波会議出席報告
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- 980nmLDモジュールのキンクフリー光出力向上の検討
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- WSi/GaAsショットキー接合界面のキャリア捕獲とFET特性との関係
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- 低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)