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三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所 | 論文
- 低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 1.5μm帯アイセーフ高出力半導体レーザー
- 980nmLDモジュールのキンクフリー光出力向上の検討
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 携帯端末用HBT電力増幅器,AWAD2006)
- 携帯端末用HBT電力増幅器
- C-2-11 Bridged-T形移相回路の等損失化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- ALC制御信号によるリップルが重畳したときの高出力増幅器の出力スペクトラムの計算
- 多段ソースインダクタ装荷形Ka帯低雑音MMIC増幅器
- TABテープを用いたUHF帯マルチチップ高出力MMIC増幅器
- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- 低インピーダンスプローブによるオンウエハ大電力特性評価
- C-10-6 デュアルバンドHBT-MMIC用バンド切換スイッチ回路に関する検討
- 非線形シミュレーションによるループ発振抑圧用アイソレーション抵抗の決定法
- 集中定数化C帯モノリシック高出力増幅器
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)