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三菱電機(株)LSI研究所 | 論文
- A1.71M-Transistor CMOS CPU Chip With Testable Cache Architecture(マイクロ・プロセッサ,ニューラルネットワーク)
- ICを洗う
- 5)HDTVカメラ用1インチ150万画素IT-CCD撮像素子(〔情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- HDTVカメラ用1"150万画素IT-CCD撮像素子 : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 2-10 ハイビジョンカメラ用1" 150万画素IT-CCD撮像素子
- パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
- フィールドシールド分離SOI MOSFETにおける放射線耐性の解析
- フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
- 水素化処理によるSOI寄生MOSFETの低しきい値電圧化の抑制
- 16ビットマイクロコントローラ(M16)の高速シミュレータの開発
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
- SOI MOS トラジスタの問題点と高性能化
- 3.大容量DRAMを内蔵したマイクロプロセッサM32R/D(日本のマイクロプロセッサ技術)
- 16ビットマイクロコントローラ(M16)の高速シミュレータの開発
- 1チップ・マイクロコンピュータM16の開発(2) : パイプラインの状態を考慮した機能検証
- 1チップマイクロコンピュータM16の開発(1) : ハードウェア記述言語を駆使した機能設計
- 中性 trap 生成の解析に基づいた新しいゲート酸化膜破壊モデルの提案
- 電流ストレスによりSi熱酸化膜界面近傍に生成された中性trap密度の評価手法の提案
- 電流ストレスによりSi熱酸化膜界面近傍に生成された中性trap密度の評価手法の提案
- UHV-CVDによるエピタキシャルSiのMOSFETソース・ドレインへの適用