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ローム株式会社 | 論文
- ポリイミド薄膜基板上に形成した超薄型有機フレキシブルFET素子の特性
- 強誘導体メモリの読出し応答解析
- 強誘電体過渡応答特性モデルの開発とその応用
- 強誘電体ヒステリシス特性モデルの開発とその応用
- パートナーシップにおける質の変化とそのマネジメント : 最も遅く研究に着手しても, 最も早く製品化するには(「マネジメントにおける質(Quality)の変化・拡大-21世紀の管理技術の体系化をめざして-」)
- RS(Radical Source)-MBE法による高移動度アンドープZnO薄膜結晶成長
- 超高集積LSI時代に向けたハードウェア設計法
- A-3-14 大規模集積回路技術に対応した新しいハードウェア設計法の提案
- Pb(Zr,Ti)O_3膜による強誘電体メモリーの開発
- PZT薄膜の不揮発性メモリ応用
- 最適設計による高速かつ小規模なディジタル比較回路(研究速報)
- B-10-110 光加入者系向け1.3/1.55μm高アイソレーション光送受信モジュール
- 強誘電体メモリのプロセス技術 (超LSI製造・試験装置ガイドブック 2001年版) -- (総論)
- 強誘電体メモリのプロセス技術 (超LSI製造・試験装置ガイドブック1999年版)
- 不揮発性強誘電体メモリとその応用 (特集 次世代エレクトロニクスを展望する)
- 強誘電体コンデンサのインプリント特性モデルの開発とその不具合評価方法
- FeRAMを用いた不揮発リコンフィギャラブルロジックデバイスの試作
- MBEによる光デバイスの開発
- 25aHG-2 MgZnO/ZnOヘテロ構造における高移動度希薄二次元電子の量子ホール状態(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- C-1-4 Fourier級数展開法による不均質媒質中の電磁界解析(その2) : 誘電率が零点と接する場合(C-1. 電磁界理論, エレクトロニクス1)