MBEによる光デバイスの開発

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概要

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• Growth conditions of Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>As layers for optical devices were investigated to find the optimum condition using a production-type MBE. It was found that the substrate temperature was the most important factor. Ridge wave guide stripe lasers fabricated from MBE DH wafers grown at about 680°C have good c w threshold currents (λ=773 nm, <I>I</I><SUB>th</SUB>=50 mA). Visible LEDs (λ=665 nm) were also fabricated from MBE DH wafers.

• 日本真空協会の論文

著者

• 市原 淳

  ローム株式会社

• 田中 治夫

  ローム

• 虫上 雅人

  ローム

• 田中 治夫

  ローム株式会社

• 虫上 雅人

  ローム株式会社

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