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ローム株式会社 | 論文
- SiCパワーデバイスを用いた電力変換システムの高性能化
- Inフリー基板マウント法MBEによる半導体レーザの開発
- 絶縁型フライバックコンバータの1MHzスイッチングにおける挙動解析
- SiパワーMOSFETを用いた5MHzスイッチング動作による絶縁型フライバックコンバータの挙動解析
- 多面体テラインの面警備員数の上下限の改善(研究速報)
- Two-dimensional Transport at Polar-heterointerface Based on ZnO and Electric-field Control with a Conducting Polymer
- SiCパワーデバイスを用いた電力変換システムの高性能化
- SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化 : 低抵抗,高耐熱によるシステムの小型化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3-6 鋳型成型法によるBaTiO_3/エポキシ樹脂複合強誘電体の微細溝形成とその振動発電への応用(OS3 電池レス・デバイスのためのエネルギーハーベストの展開)
- 多面体テラインの面警備員数の上下限の改善
- CI-1-6 高速光無線通信モジュールの開発動向(CI-1.チップ間インターコネクションに向けた短距離フォトニクスの進展,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)