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ローム株式会社 | 論文
- 22pTP-2 V字ソリトンとその周辺(古典・量子可積分系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 24pXF-11 パンルベテストにより導出される独立変数を係数に持つ高次元ソリトン方程式について(24pXF 古典・量子可積分系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- CuInGaSe_2薄膜を用いた高感度・広帯域イメージセンサ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 任意精度対応準並列形乗除算機構の提案とRSA公開鍵暗号システムへの応用
- 28aXB-10 ZnO単一ヘテロ構造における磁気発光特性(励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
- A-1-31 入力信号の立上がり時間を考慮したLSIの配線遅延解析(A-1.回路とシステム,基礎・境界)
- C-12-84 強誘電体を用いたビット直列ワード並列型機能メモリの設計
- システムLSIコアの各種盗用防止機構
- 超高精度整数乗算器の高速化とモジュール化
- D-6-12 バス形ネットワークにおけるアクセス権制御機構の一提案
- A-7-19 任意精度対応冗長2進除算器の公開鍵暗号処理ハードウェアへの応用
- 低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
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- Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
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- FeRAMを用いた不揮発リコンフィギャラブルロジックデバイスの試作(リコンフィギャラブルアーキテクチャ)
- 強誘電体デバイスを用いたロジックインメモリVLSIの構成(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
- 強誘電体不揮発性ロジック素子(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 強誘電体キャパシタを用いた不揮発性ロジックの開発
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