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ローム株式会社 | 論文
- 強誘電体デバイスに基づくロジックインメモリVLSIの構成
- STN薄膜を用いたMFMIS FETの電気特性
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- 「PZT薄膜の不揮発性メモリへの応用研究」
- 高濃度ドープしたSi単電子トランジスタを使ったXOR回路の室温動作(多量量子ドットと機能性)
- 多重ドットSi単電子トランジスタにおける周期的なクーロン振動(多量量子ドットと機能性)
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- PZT薄膜強誘電体メモリ(FRAM)
- 適応フィルタに基づいたOFDM変調用LPF推定法に関する研究(ブロードバンド無線アクセス技術, 無線通信一般, 信号処理)
- 適応アルゴリズムに基づいたOFDM変調用雑音除去法に関する検討(信号処理, 符号化とそれらを用いた知的マルチメディアシステム, 一般)
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- 80MHz帯域OFDM方式無線通信システムの検討とOFDM変復調回路の設計(スマートパーソナルシステム, 一般)
- OFDM 信号の周期性を利用した OFDM 変調用雑音除去システムに関する検討(パーソナルシステム, システムオンシリコン及び一般)
- OFDM信号の周期性を利用したOFDM変調用雑音除去システムに関する検討
- A-20-3 OFDM変調用雑音除去システムに関する一検討(A-20. スマートインフォメディアシステム, 基礎・境界)
- C-004 組み合わせ論理回路の自動修正について(C.アーキテクチャ・ハードウェア)
- 任意精度対応準並列形乗除算機構の提案とRSA公開鍵暗号システムへの応用
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