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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター | 論文
- EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 酸化物エピタキシャル技術を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタメモリ(TFT(有機,酸化物),一般)
- MOCVD法による(110)/(111)混在配向Bi_4Ti_3O_膜の低温形成
- B-2-35 スペクトル拡散UWBレーダを用いたSEABED法による高速立体イメージングの実験検証(B-2. 宇宙・航行エレクトロニクス,一般セッション)
- 45°傾斜ミラーを有する水平共振器型面発光レーザ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 45°傾斜ミラーを有する水平共振器型面発光レーザ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 45°傾斜ミラーを有する水平共振器型面発光レーザ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-3 高周波信号用ビアを有するサファイア基板上GaN MMICのチップサイズパッケージ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 表面プラズモン面発光レーザー
- HfO_2をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価・解析
- In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-7 格子間フッ素によるGaN系トランジスタのノーマリオフ化機構(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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