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ソニー株式会社 | 論文
- 機械学習を用いた複数の大語彙連続音声認識モデルの出力の混合 : 旅行会話音声における評価
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)
- 高性能45nmノードCMOSFET技術とストレス印加による移動度向上技術のスケーラビリティ(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- CBCM法を用いたゲート絶縁膜の容量測定
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果
- 多段接続/スタガ動作による、広帯域・高精度利得制御回路の検討
- セマンティックスコア法を用いた映画の構造表現 : ヒューマン・コンテンツ・インタフェースデザインに向けて(3)
- セマンティックスコア法を用いた映画の構造表現 : ヒューマン・コンテンツ・インターフェースデザインに向けて(3)
- 電圧・電圧モード多重共振形コンバータ(3)(回路技術及び高効率エネルギー変換技術関連,一般)
- 電圧・電圧モード多重共振形コンバータ(2)(回路・制御技術関連,一般)
- 電圧・電圧モード多重共振形コンバータ(部品・デバイス・材料技術関連,一般)
- 仮想実験環境を組み込んだWebベースのコンピュータ技術教育支援システム
- ダマシンゲートプロセスを用いた Top-Cut デュアルストレスライナーを有する高性能 Metal/High-k Gate MOSFETs
- ダマシンゲートプロセスを用いたtop-cutデュアルストレスライナーを有する高性能Metal/High-k Gate MOSFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- [100]及び[110]基板上の埋め込みSiGe膜による歪みSiチャンネルを有する Metal/High-k ゲート電極MOSFETs
- (100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発