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ソニー株式会社 | 論文
- チャネル方向と構造起因歪みの組み合わせを用いた45nm世代のための高移動度CMOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 0.25μmSRAMセンターワードライン型セル
- ウェーハ表面吸着有機物の同定とその除去
- 情報センシング
- 部分復号を可能とするウェーブレット逆変換法
- 空間分割ウェーブレット変換における計算冗長性の改善法
- 高アスペクト比微細構造におけるウェット洗浄の限界とパターン破壊フリー洗浄技術
- 高アスペクト比微細構造におけるウェット洗浄の限界とパターン破壊フリー洗浄技術(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ウェーハ密閉搬送による自然酸化膜成長防止とその成膜プロセスへの適用
- MANETプロトコルの仕様適合性試験のための状態遷移図縮退手法(ネットワークソフトウェア論文)
- 非対称型MMACにおけるOFDMの性能評価
- 単層電極構造を用いた2.20um□画素インターライン型CCD
- 6)27型114度偏向トリニトロン管とその新機構について(第14回 テレビジョン方式・回路研究会)
- 4) 114°トリニトロン管, およびその周辺回路(第40回テレビジョン方式・回路研究会)
- 3) トリニトロン方式カラー受像管(第12回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- 9-4 "トリニトロン"カラー受像管
- 職場環境改善を目的としたストレス対策事例 : 事業所における計画策定から実施・効果評価まで
- 仕事のストレス判定図を使用したストレス対策の進め方 : 職場環境へのアプローチ
- C120 半導体製造工程(フォトリソグラフィ工程)で働くオペレーターの視機能保護について
- B105 職業性ストレス簡易調査票を用いた職場ストレス対策事例・II : 職場担当看護職による職場支援