ウェーハ密閉搬送による自然酸化膜成長防止とその成膜プロセスへの適用
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概要
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完全密閉ポッドによりウェーハ保管雰囲気を制御できるウェーハ搬送システムを開発し、AsやPをドープしたシリコン表面の自然酸化膜の成長を抑制できることを確認した。これをCoシリサイド形成プロセスのCo成膜前のウェーハ搬送に適用した結果、接合リーク電流を増加させることなく、シート抵抗の上昇を防止できた。また、半球面(HSG)Si形成プロセスに適用した結果、良好なHSGの形成ができ、表面酸化による容量低下を防止できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-09-28
著者
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