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(株)日立製作所デバイス開発センタ | 論文
- 10Gb/s 16:1MUX/1:16DMUX ICの開発
- 高集積DRAM構造の検討
- 差画像検出方式異物検査装置の開発
- RISCプロセッサ用, 高速, 大容量(14port, 160word×75bit)レジスタファイルの開発
- 擬似2層構造を有する高精度多結晶シリコン抵抗の提案と実験的検討(集積エレクトロニクス)
- 高精度二層多結晶シリコン抵抗の開発(2)
- 高精度二層多結晶シリコン抵抗の開発(1)
- リンドープポリSiエミッタを用いた超高速Siバイポーラトランジスタ
- C-10-15 SiGe HBTを用いた50Gb/s 4:1 MUX. 48Gb/s 1:4 DEMUX ICとICモジュールの開発
- 超高速自己整合構造SiGe HBTと光伝送用ICへの応用
- 高周波・高速用途向け自己整合構造SiGe HBT/CMOS技術
- 10Gbit/s短距離用直接変調レーザダイオードモジュール
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- SiGe HBTを用いた40Gb/s光伝送用高利得プリアンプICの開発
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- SA-1-1 RFIDタグ向け低電圧動作復号回路
- 10Gb/s GaAs EA変調器駆動IC
- GaAs EA変調器駆動回路IC
- アクセス時間1.9ns高速10ポートSRAM
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