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(株)ルネサステクノロジ | 論文
- 車載電子機器のEMIシミュレーション技術の開発(電磁環境・EMC,通信の未来を担う学生論文)
- TMMと近似等価回路によるLSIパッケージ給電系解析の高速化(EMC一般)
- ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- SoC向けMBISTにおける歩留りと面積のトレードオフに関する一考察(設計/テスト/検証,設計/テスト/検証)
- 54倍速AACエンコードを実現するヘテロジニアスマルチコアアーキテクチャの検討(マルチコア,プロセッサ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 54倍速AACエンコードを実現するヘテロジニアスマルチコアアーキテクチャの検討(マルチコア,プロセッサ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 低しきい値pMISFETに向けたAl_2O_3を堆積させたHfO_2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- メモリBISTにおけるハードウェアオーバヘッドおよび故障位置特定に関する一考察(設計/テスト/検証)
- C-2-11 アンテナスイッチ向けゲート間領域接続型pHEMTデバイス(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 車載電子機器のEMIシミュレーション技術の開発
- 5GHz帯CMOSソース接地FET切替形多段カスコード可変利得ドライバ増幅器
- 5GHz帯CMOSソース接地FET切替形多段カスコード可変利得ドライバ増幅器(ミリ波技術,一般)
- 常温接続によるシリコン貫通電極チップ三次元化技術(SiP (System in Package)技術,先端電子デバイスパッケージと高密度実装プロセス技術の最新動向論文)
- 常温接続によるシリコン貫通電極チップ三次元化技術(不揮発メモリと関連技術及び一般)
- 新メモリとSOC、今何をすべきか? : 混載メモリの課題と展望(新メモリ技術とシステムLSI)
- C-12-12 スーパーマルチDVDドライブ向け記録再生用低雑音VCO(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- レベルシフトつきΣΔ変調器(ネットワークプロセッサ,通信のための信号処理,符号理論,一般)
- C-12-26 シリアルATA用低雑音VCO(C-12.集積回路C(アナログ),エレクトロニクス2)
- フラクショナルPLLを用いたスプレッドスペクトラムクロック発生器(VLSI一般(ISSCC2005特集))
- C-12-13 シリアルATA用スプレッドスペクトラムPLL(C-12. 集積回路B(ディジタル), エレクトロニクス2)
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