C-2-11 アンテナスイッチ向けゲート間領域接続型pHEMTデバイス(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)

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概要

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無線通信端末の送受信/バンド切替えを行うアンテナスイッチは、消費電流の多く集積化が困難なPINダイオードを用いた構成から、消費電流が小さく高集積化可能なFET素子を用いた構成に置き換わってきている。我々はInGaAspHEMTを用いてアンテナスイッチの開発を進めている。数Wの送信電力を取り扱うFETスイッチでは、オフ経路のFETを多段接続し各FETにかかる電力を分散させ、大電力送信時に確実にオフする構成となっているのが一般的である。多段接続時の面積増加を少なくするために、ソース・ドレイン間に複数のゲートを形成するマルチゲートが有効である。しかしながら、オフ状態のマルチゲートpHEMTのゲート領域の電位が不定となり、非線形歪み発生の原因となっている事を我々は見出した。非線形歪み低減のために、ゲート間領域に抵抗を接続し電圧を供給させるゲート間接続型pHEMTデバイス構造を考案し、従来構造を用いたアンテナスイッチと比較して高線形特性を得たので報告をする。
2009-03-04

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