HARTNAGEL Hans | Institut fur Hochfrequentztechnik, Technische Hochschule Darmstadt
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概要
- Hartnagel Hans L.の詳細を見る
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- Institut fur Hochfrequentztechnik, Technische Hochschule Darmstadtの論文著者
関連著者
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HARTNAGEL Hans
Institut fur Hochfrequenztechnik, Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik, TU Darmstadt
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Hartnagel Hans
Institut Fur Hochfrequenztechnik Fachbereich Elektrotechnik Und Informationstechnik Tu Darmstadt
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HARTNAGEL Hans
Institut fur Hochfrequentztechnik, Technische Hochschule Darmstadt
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HASHIZUME Tamotsu
Hokkaido University
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HASEGAWA Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
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Hashizume Tamotsu
Hokkaido Polytechnic College
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Hartnagel H
Th Darmstadt Darmstadt Deu
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Hasegawa Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan
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Sigmund Jochen
Institut Fur Hochfrequenztechnik Fachbereich Elektrotechnik Und Informationstechnik Tu Darmstadt
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LAMPIN Jean-Francois
Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie
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IVANNIKOV Valentin
Institut fur Hochfrequenztechnik, Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik, TU Darmstadt
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SYDLO Cezary
Institut fur Hochfrequenztechnik, Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik, TU Darmstadt
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FEIGINOV Michail
Institut fur Hochfrequenztechnik, Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik, TU Darmstadt
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PAVLIDIS Dimitris
Institut fur Hochfrequenztechnik, Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik, TU Darmstadt
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MEISSNER Peter
Institut fur Hochfrequenztechnik, Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik, TU Darmstadt
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SAWADA Takayuki
Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University
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Henkel Achim
Thomson-csf Laboratoire Central De Recherches Domaine De Corbeville
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Meissner Peter
Institut Fur Hochfrequenztechnik Fachbereich Elektrotechnik Und Informationstechnik Tu Darmstadt
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Sydlo Cezary
Institut Fur Hochfrequenztechnik Fachbereich Elektrotechnik Und Informationstechnik Tu Darmstadt
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Blanck Herve
Thomson-csf Laboratoire Central De Recherches Domaine De Corbeville
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Hartnagel Hans
Institut Fur Hochfrequenztechnik Th Darmstadt
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DELAGE Sylvain
Thomson-CSF, Laboratoire Central de Recherches, Domaine de Corbeville
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FORTE-POISSON Marie
Thomson-CSF, Laboratoire Central de Recherches, Domaine de Corbeville
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RIEMENSCHNEIDER Rolf
Institut fur Hochfrequentztechnik, Technische Hochschule Darmstadt
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GRUB Andreas
Institut fur Hochfrequentztechnik, Technische Hochschule Darmstadt
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Grub Andreas
Institut Fur Hochfrequentztechnik Technische Hochschule Darmstadt
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Delage Sylvain
Thomson-csf Laboratoire Central De Recherches Domaine De Corbeville
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Blanck Hervé
Thomson-CSF, Laboratoire Central de Recherches, Domaine de Corbeville, 91404 Orsay Cédex, Fra
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Feiginov Michail
Institut Fur Hochfrequenztechnik Fachbereich Elektrotechnik Und Informationstechnik Tu Darmstadt
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Pavlidis Dimitris
Institut Fur Hochfrequenztechnik Fachbereich Elektrotechnik Und Informationstechnik Tu Darmstadt
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Ivannikov Valentin
Institut Fur Hochfrequenztechnik Fachbereich Elektrotechnik Und Informationstechnik Tu Darmstadt
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Forte-poisson Marie
Thomson-csf Laboratoire Central De Recherches Domaine De Corbeville
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Lampin Jean‐francois
Univ. Lille 1 Villeneuve D'ascq Fra
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Lampin Jean-francois
Institut D'electronique De Microelectronique Et De Nanotechnologie Umr Cnrs 8520 Universite De
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Sawada Takayuki
Research Center For Interface Quantum Electronics Hokkaido University
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Riemenschneider Rolf
Institut Fur Hochfrequentztechnik Technische Hochschule Darmstadt
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Lampin Jean-francois
Institut D'electronique De Microelectronique Et De Nanotechnologie Umr Cnrs 8520
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LAMPIN Jean-Francois
Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie
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di Forte-Poisson
Thomson-CSF, Laboratoire Central de Recherches, Domaine de Corbeville, 91404 Orsay Cédex, France
著作論文
- Low-Temperature Grown GaAsSb with Sub-Picosecond Photocarrier Lifetime for Continuous-Wave Terahertz Measurements
- Boron Implantation into GaAs/Ga_In_P Heterostructures
- Process-Induced Defects in InP Caused by Chemical Vapor Deposition of Surface Passivation Dielectrics
- Deep Level Characterization of Submillimeter-Wave GaAs Schottky Diodes Produced by a Novel In-Situ Electrochemical Process