Low-Temperature Grown GaAsSb with Sub-Picosecond Photocarrier Lifetime for Continuous-Wave Terahertz Measurements
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概要
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We report on continuous-wave optoelectronic terahertz (THz) measurements using low-temperature grown (LTG) GaAsSb as photomixer material. A broadband log-periodic antenna and a six interdigital finger photomixer with 1μm gap is fabricated on LTG-GaAsSb for THz generation and detection. At 0.37THz, the resonance frequency of the inner most antenna tooth, we obtained a power of 6.3nW. A Golay cell was used as detector. The photocarrier lifetime of the material was determined to be 700fs by pump-probe experiments with an optical wavelength close to the band gap of LTG-GaAsSb. The band gap was 1.0eV, measured by wavelength dependent pump-probe measurements.
- （社）電子情報通信学会の論文
- 2008-07-01
著者
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Sigmund Jochen
Institut Fur Hochfrequenztechnik Fachbereich Elektrotechnik Und Informationstechnik Tu Darmstadt
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LAMPIN Jean-Francois
Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie
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IVANNIKOV Valentin
Institut fur Hochfrequenztechnik, Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik, TU Darmstadt
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SYDLO Cezary
Institut fur Hochfrequenztechnik, Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik, TU Darmstadt
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FEIGINOV Michail
Institut fur Hochfrequenztechnik, Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik, TU Darmstadt
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PAVLIDIS Dimitris
Institut fur Hochfrequenztechnik, Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik, TU Darmstadt
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MEISSNER Peter
Institut fur Hochfrequenztechnik, Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik, TU Darmstadt
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HARTNAGEL Hans
Institut fur Hochfrequenztechnik, Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik, TU Darmstadt
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Meissner Peter
Institut Fur Hochfrequenztechnik Fachbereich Elektrotechnik Und Informationstechnik Tu Darmstadt
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Sydlo Cezary
Institut Fur Hochfrequenztechnik Fachbereich Elektrotechnik Und Informationstechnik Tu Darmstadt
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Hartnagel Hans
Institut Fur Hochfrequenztechnik Fachbereich Elektrotechnik Und Informationstechnik Tu Darmstadt
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Feiginov Michail
Institut Fur Hochfrequenztechnik Fachbereich Elektrotechnik Und Informationstechnik Tu Darmstadt
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Pavlidis Dimitris
Institut Fur Hochfrequenztechnik Fachbereich Elektrotechnik Und Informationstechnik Tu Darmstadt
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Ivannikov Valentin
Institut Fur Hochfrequenztechnik Fachbereich Elektrotechnik Und Informationstechnik Tu Darmstadt
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Lampin Jean‐francois
Univ. Lille 1 Villeneuve D'ascq Fra
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Lampin Jean-francois
Institut D'electronique De Microelectronique Et De Nanotechnologie Umr Cnrs 8520 Universite De
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Lampin Jean-francois
Institut D'electronique De Microelectronique Et De Nanotechnologie Umr Cnrs 8520
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LAMPIN Jean-Francois
Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie
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HARTNAGEL Hans
Institut fur Hochfrequentztechnik, Technische Hochschule Darmstadt
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