Kashio Norihide | Ntt Photonics Laboratories Ntt Corporation

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概要

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著作論文

Monolithic integration of UTC-PDs and InP HBTs using Be ion implantation
Highly Reliable Submicron InP-Based HBTs with over 300-GHz f_t
High-performance and reliable InP/InGaAs HBTs operating at high current density (Electron devices: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
High-performance and reliable InP/InGaAs HBTs operating at high current density (Silicon devices and materials: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
High-Speed Uni-Traveling-Carrier Photodiodes Monolithically Integrated with InP Heterojunction Bipolar Transistors using Be Ion Implantation
0.25-μm-Emitter InP Heterojunction Bipolar Transistors with a Thin Ledge Structure
Performance of InP/InGaAs HBTs with a Thin Highly N-Type Doped Layer in the Emitter-Base Heterojunction Vicinity

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