Jeong Gitae | Advanced Technology Development 2 Memory Device Business Samsung Electronics Co.

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著作論文

High Density (256Mb and Beyond) PRAM Integration Using 3-D Cell Array Transistors(Plenary Session,AWAD2006)
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Invited Issues for high density MRAM (先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ)
[Invited] Issues for high density MRAM (AWAD2003 (Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices))
Invited Integration Technologies for High Density Emerging New Memories (先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
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MRAM's future prospects and its challenges
High Density (256Mb and Beyond) PRAM Integration Using 3-D Cell Array Transistors

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