中川 愛彦 | 産総研
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概要
関連著者
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中川 愛彦
産総研
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山崎 裕文
産総研
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山崎 裕文
産業技術総合研
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馬渡 康徳
産業技術総合研究所(産総研)
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馬渡 康徳
産総研
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馬渡 康徳
産総研 電力エネルギー研究部門
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山崎 裕文
電総研
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馬渡 康徳
電総研
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山崎 裕文
産業技術総合研究所
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新井 和昭
産総研
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海保 勝之
産総研
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海保 勝之
産業技術総合研
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新井 和昭
産業技術総合研究所
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新井 和昭
産業技術総合研
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新井 和昭
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
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海保 勝之
工業技術院電子技術総合研究所
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熊谷 俊弥
産総研
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中川 愛彦
産業技術総合研究所
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熊谷 俊弥
産業技術総合研
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山口 巌
産総研
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相馬 貢
産総研
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近藤 和吉
産総研
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古瀬 充穂
産業総合技術研究所
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山田 博
大島商船高専
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山田 博
産総研
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山口 巌
(独)産業技術総合研究所
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山田 博
産業技術総合研究所
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齊藤 敦
山形大学工学部
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大嶋 重利
山形大学工学部
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野口 洋祐
山形大学工学部
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齊藤 敦
山形大工
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古瀬 充穂
産総研
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古瀬 充穂
産業技術総合研究所
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小原 春彦
産総研
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小原 春彦
独立行政法人 産業技術総合研究所
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山崎 裕文
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
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中川 愛彦
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
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古瀬 充穂
産業技術総合研
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小原 春彦
産総研 電力エネルギー研究部門
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Develos Katherine
産総研
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デベロス カテリン
電総研
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松井 浩明
産総研
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名取 尚武
産総研
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樋口 登
産総研
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山口 巖
産総研
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海保 勝之
産業技術総合研究所
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玉田 紀治
産業技術総合研究所
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仁田 旦三
東京大学
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平野 悟
山形大学工学部
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向田 昌志
山形大学工学部
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谷口 洋平
山形大
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松下 照男
九工大・情報工
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小田部 荘司
九工大・情報工
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名取 尚武
産業技術総合研究所
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田中 康資
産業総合研究所
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白川 政信
山形大学工学部
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北村 一大
山形大学工学部
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山崎 裕文
産業総合研究所
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中川 愛彦
産業総合研究所
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SUNDARESAN Athinarayanan
産業総合研究所
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大木 康太郎
産総研
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海保 勝之
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
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熊谷 俊弥
(独)産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門
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渋谷 正豊
神奈川大学 工学部
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馬渡 康徳
産業技術総合研究所
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渋谷 正豊
電力中央研究所
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谷口 洋平
山形大学工学部
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武田 伸弥
山形大学工学部
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平野 悟
山形大
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玉田 紀治
富山県工業技術センター
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仁田 旦三
東大 工
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Sundaresan A.
Tata Institute Of Fundamental Research
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熊谷 俊弥
(独)産業技術総合研究所
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真部 高明
産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門
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真部 高明
産総研
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澤 彰仁
産総研
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山口 巌
(独)産業技術総合研究所 先進製造技術研究部門
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古瀬 充穂
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
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山口 巌
産業技術総合研究所
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塚田 謙一
産総研
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真部 高明
産業技術総合研究所
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相馬 貢
産業技術総合研究所
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塚田 謙一
産業技術総合研究所
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近藤 和吉
産業技術総合研究所
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熊谷 俊弥
産業技術総合研究所
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木内 勝
九工大・情報工
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大嶋 重利
山形大工
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楠 正暢
山形大工
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和田 浩志
九工大・情報工
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向田 昌志
山形大工
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野口 恭史
山形大学工学部
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仁田 旦三
東京大学工学部
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渋谷 正豊
東大
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仁田 旦三
東大
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相馬 貢
(独)産業技術総合研究所
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近藤 和吉
(独)産業技術総合研究所
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松井 浩明
(独)産業技術総合研究所
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名取 尚武
(独)産業技術総合研究所
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樋口 登
(独)産業技術総合研究所
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河野 一平
九工大・情報工
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馬渡 康徳
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
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DEVELOS K.
産総研
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DEVELOS K.
Energy Electronics Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
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DEVELOS K.
AIST
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玉田 紀治
電子技術総合研究所極限技術部超電導テクノロジーラホ
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右田 稔
九工大・情報工
-
DEVELOS Katherine
AIST
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澤彰 仁
電総研
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洋見 俊孝
九工大・情報工
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及川 進一郎
山形大学
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及川 進一郎
山形大工
-
野口 恭史
山形大工
著作論文
- 高抵抗率の金銀合金層を分流保護層とする超電導薄膜限流素子(8) : MOD-YBCO薄膜を用いた500V/200A級限流素子モジュールの作製と試験
- 高抵抗率の金銀合金を分流保護層とする超電導薄膜限流素子(7) : 大容量化のための並列接続技術及び薄膜保護技術
- 高抵抗率の金銀合金層を分流保護層とする超電導薄膜限流素子(5) : 産総研MOD法 高Jc-YBCO薄膜
- 高抵抗率の金銀合金層を分流保護層とする超電導薄膜限流素子(2) : 産総研YBCO薄膜(MOD法)使用例
- YBCO薄膜におけるナノ析出物による強い磁束ピン止め(2) : 核相互作用の線形和と異方的GL近似による理論解析
- YBCO薄膜におけるナノ析出物による強い磁束ピン止め(1) : 臨界電流の磁界角度依存性と透過電顕観察
- 極低温,強磁場中における高温超伝導薄膜の表面抵抗測定(マイクロ波超電導/一般)
- 超電導薄膜限流器とテープ巻線型限流器の導体コスト比較
- 高抵抗率の金銀合金層を分流保護層とする超電導薄膜限流素子(3) : 薄膜限流器とテープ巻線型限流器のコスト比較
- 高抵抗率の金銀合金保護層を有する大面積MOD-YBCO薄膜を用いた500V/200A級限流素子モジュール
- 超伝導薄膜による磁場の変調 : 臨界電流特性の履歴効果のモデル
- 第三高調波誘導法による超電導体の臨界電流密度の評価 : 超電導薄膜・バルク材の臨界電流密度
- 第3高調波誘導電圧を用いる超電導薄膜のJ_c測定の標準的な方法の提案
- 高抵抗率の金銀合金層を分流保護層とする超電導薄膜限流素子(1) : THEVA社製YBCO薄膜(共蒸着法)使用例
- 第3高調波電圧を用いる誘導法によるBi-2223厚膜試料の臨界電流密度の非破壊測定
- PLD法YBCO膜におけるピンニングセンターのAFM/TEM観察
- PLD法YBCO膜におけるピンニング効果の磁場角度依存性
- 高抵抗率の金銀合金層を分流保護層とする超電導薄膜限流素子(6) : 温度特性と常電導伝搬特性
- 高抵抗率の金銀合金層を分流保護層とする超電導薄膜限流素子(4) : 温度特性とAE信号
- 38GHz誘電体共振器を用いた超伝導薄膜の磁場中表面抵抗測定(マイクロ波,超伝導,一般)
- 38GHz誘電体共振器を用いた超伝導薄膜の磁場中表面抵抗測定(マイクロ波,超伝導,一般)
- 第3高調波電圧を用いる誘導法によるバルク試料の臨界電流密度の非破壊測定
- 第3高調波電圧を用いる誘導法による超電導薄膜の電流電圧特性の測定
- 超伝導薄膜における臨界電流密度と第三高調波誘導電圧のスケール則
- 誘導法による超電導薄膜の臨界電流密度の測定の温度・磁界依存性
- 超伝導薄膜, バルク材における臨界電流密度と第三高調波誘導電圧
- 超電導薄膜の第三高調波誘導電圧の数値計算
- 薄膜限流器用大面積超電導膜の臨界電流特性向上とコスト試算
- 極低温,強磁場中における高温超伝導薄膜の表面抵抗測定(マイクロ波超電導/一般)
- YBCO超電導膜における双晶界面の磁束ピン止め効果(2)
- 超電導コート線材の第三高調波誘導電圧のテープ幅依存性
- YBCO薄膜の臨界電流密度と表面抵抗の相関