Growth Modes of Silicon Carbide in Low-Temperature Liquid Phase Epitaxy
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概要
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SiC crystal layers were grown on the Si-face of 6H-SiC substrates using a Si-saturated Al–Sn solution reacting with C3H8 gas at 1000°C. The change in the surface morphology of the grown layers depended on the Sn content of the growth solution used: triangular features characterizing a 3C polytype were observed at high Sn content, while hexagonal features appeared at zero Sn content. Two competing growth processes of solution dominance and substrate dominance are discussed.
- INSTITUTE OF PURE AND APPLIED PHYSICSの論文
- 2004-11-15
著者
-
Katsuno Hironobu
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
Tanaka Akira
Research And Development Phadia Kk
-
Katsuno Hironobu
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8011, Japan
-
Ataka Tatsuya
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8011, Japan
-
Ohkura Eiji
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8011, Japan
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