Formation of Cubic SiC Crystals by Gas-Phase Reaction
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概要
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Cubic SiC crystals of 4 mm in maximum edge length were produced by heating a mixed powder hexagonal SiC and SiO2 around 2350°C. In this condition, a Si element produced by the reduction of SiO2 played an important role in the growth of the cubic type crystal. Microscope observation of the as-grown surface of crystals revealed that the recrystallization from the hexagonal-to-cubic types occurred through a gas phase, i.e. a vaporization-deposition process.
- INSTITUTE OF PURE AND APPLIED PHYSICSの論文
- 1989-07-20
著者
-
Takei Humihiko
Institute For Iron Steel And Other Metals Tohoku University
-
Omori Mamoru
Institute For Materials Research Tohoku University
-
Fukuda Tsuguo
Institute For Material Research Tohoku University
-
Takei Humihiko
Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, Roppongi, Minato-ku, Tokyo 106
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