Investigation of Non-Radiative Processes in InAs/(Ga,In)(N,As) Quantum Dots
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概要
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The photoluminescence (PL) properties of InAs/(Ga,In)(N,As) quantum dots (QDs) were analyzed and compared to those of InAs/(Ga,In)As QDs. While the PL intensity and the PL decay times of these samples are similar at low temperature, their decrease when the temperature increases is stronger in the case of InAs/(Ga,In)(N,As) QDs. This is attributed to a weaker confinement of the carriers and to the presence of structural defects as revealed by the analysis of plane-view and cross-section transmission electron microscopy images.
- Japan Society of Applied Physicsの論文
- 2007-04-25
著者
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Damilano Benjamin
Centre National De La Recherche Scientifique-centre De Recherche Sur L'hetero-epitaxie Et Ses A
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Massies Jean
Centre De Recherche Sur L' Hetero-epitaxie Et Ses Applications Centre National De Le Recherche
-
Richter Mirja
Centre National de la Recherche Scientifique, Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, Rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France
-
Gil Bernard
Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Université Montpellier II, 34095 Montpellier Cedex 5, France
-
Hugues Maxime
Centre National de la Recherche Scientifique, Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, Rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France
-
Chauveau Jean-Michel
Centre National de la Recherche Scientifique, Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, Rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France
-
Duboz Jean-Yves
Centre National de la Recherche Scientifique, Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, Rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France
-
Taliercio Thierry
Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Université Montpellier II, 34095 Montpellier Cedex 5, France
-
Lefebvre Pierre
Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Université Montpellier II, 34095 Montpellier Cedex 5, France
-
Guillet Thierry
Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Université Montpellier II, 34095 Montpellier Cedex 5, France
-
Valvin Pierre
Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Université Montpellier II, 34095 Montpellier Cedex 5, France
-
Bretagnon Thierry
Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Université Montpellier II, 34095 Montpellier Cedex 5, France
-
Wieck Andreas
Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstra{ß}e 150, D-44780 Bochum, Germany
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Hugues Maxime
Centre National de la Recherche Scientifique, Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, Rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France
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Duboz Jean-Yves
Centre National de la Recherche Scientifique, Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, Rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France
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Guillet Thierry
Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Université Montpellier II, 34095 Montpellier Cedex 5, France
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Lefebvre Pierre
Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Université Montpellier II, 34095 Montpellier Cedex 5, France
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Chauveau Jean-Michel
Centre National de la Recherche Scientifique, Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, Rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France
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Damilano Benjamin
Centre National de la Recherche Scientifique, Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, Rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France
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Gil Bernard
Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Université de Montpellier II, Case Courrier 074, 34095 Montpellier Cedex 5, France
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Massies Jean
Centre National de la Recherche Scientifique, Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, Rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France
-
Wieck Andreas
Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstra{ß}e 150, D-44780 Bochum, Germany
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Taliercio Thierry
Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Université Montpellier II, 34095 Montpellier Cedex 5, France
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Bretagnon Thierry
Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Université Montpellier II, 34095 Montpellier Cedex 5, France
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Valvin Pierre
Groupe d'Etude des Semiconducteurs, Université Montpellier II, 34095 Montpellier Cedex 5, France
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