TaN薄膜素子を用いたピラニ型真空計の感度特性
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概要
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Pressure dependence of the electrical properties of TaN thin films was studied in order to use the films as the resistive thermoconductive pressure sensors. These films have two advantageous properties which are large effective heat-conducting area and small geometrical size. TaN thin films were deposited by reactive sputtering onto Corning 7059 glass at 1.5×10<SUP>-3</SUP> Torr in a mixture of nitrogen and argon. The sensor thus formed is sensitive to the pressure change of He, and is suggested to use the pressure sensor as the leak detector with He gas. On the other hand, for Ar gas the sensor showed low sensitivity which suggests to use the pressure sensor for the measurement of reactive gases in Ar gas during the reactive sputtering.
- 日本真空協会の論文
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