30p-TJ-12 ^1H(^<15>N,αγ)^<12>C共鳴核反応法によるW(110)吸着水素の動的挙動の研究(30pTJ 表面・界面)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
3p-B-13 チャネリング重イオンの荷電変換と阻止能II
-
30p-YS-5 チャネリング重イオンの荷電変換と阻止能
-
12p-Q-10 高速重イオンのチャネリングにおける荷電変換III
-
31p-ZG-8 高速重イオンのチャネリングにおける荷電変換II(放射線物理)
-
25p-L-12 高速重イオンのチャネリングにおける荷電変換
-
30a-H-7 Ar^q+イオン-炭素薄膜の衝突における放出2次電子数分布
-
29p-ZG-8 O^イオン〜炭素薄膜衝突における放出2次電子数分布の研究
-
25p-G-9 O^イオン炭素薄膜透過における放出2次電子数分布
-
30a-X-13 He_2^+-炭素薄膜衝突における放出2次電子数分布
-
12a-D-11 F^高速チャネリングイオンの共鳴励起状態からの脱励起X線観測
-
3p-RJ-2 Al-GaAs(110)界面の共鳴光電子放出のAl被覆度依存性
-
12p-Y-7 Al-GaAs(110)におけるAl2p内殻励起子と共鳴電子放出
-
13p-DB-13 多価金イオンとヘリウムの衝突における0度方向バイナリー電子生成
-
30a-L-5 重イオン衝突におけるバイナリーピークの入射イオン電荷依存性(原子・分子)
-
30a-Q-8 高速重イオンとヘリウムの衝突におけるバイナリーピークの電荷依存性(II)
-
24p-P-10 高速重イオンとヘリウムの衝突におけるバイナリーピークの電荷依存性
-
3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光
-
28a-H-6 水素様イオンの共鳴励起の研究VIII
-
29p-ZG-9 水素様イオンの共鳴励起の研究VIII
-
25a-G-5 水素様イオンの共鳴励起の研究VII
-
2p-G-5 水素様イオンの共鳴励起の研究VI
-
26p-O-3 ^1H(^N,αγ)^C核反応によるW(110)表面の水素吸着の測定
-
29a-S-11 ^1H(^N,αγ-1)^C核反応の共鳴エネルギー幅
-
27p-C-12 ^1H(^N, αγ_1)^C核反応によるW(001)表面の水素定量
-
2p-R-7 ^1H(^N,αγ)^C核反応によるW(100)表面の水素定量
-
27a-E-8 角度分解光電子分光によるNO/Pt(001)表面の研究
-
25p-PS-46 Si(001)清浄表面の構造相転移
-
6a-T-6 シリコン上のアルカリ吸着とモンテカルロシミュレーション
-
6a-T-5 FI-STMおよびLEEDによるSi(001)2x1-Liの研究
-
3a-T-7 Si(001)のLEED : ストリーク・パターン
-
4a-B4-5 金属(M)/Si(111)系の室温界面反応 : M-Si接合
-
30a-D-12 Au-Si(111)系の表面電子状態
-
1p-S-10 Au/Si(111)の光電子分光
-
4a-E-5 Si(111)2×1上のCs吸着状態
-
1a-R-8 350Mev電子線によるチャネリング放射光III
-
11p-G-9 350MeV電子線によるチャネリング放射光II
-
2a-R-9 350MeV電子線によるチャネリング放射光
-
2p-RL-9 150MaV Clイオンの多重散乱と荷電状態II
-
11a-G-4 150〜200MeV Clイオンの多重散乱と荷電状態
-
30p-F-2 ガス充填型同位体分離器と結合したイオンガイド法オンライン同位体分離器
-
高速水素イオン-希ガス衝突における電子捕獲微分断面積の測定II
-
1a-H-9 H/Si(111)とH/W(001)へのAg蒸着と水素の拳動 : 共鳴核反応による測定
-
27p-ZF-11 共鳴核反応によるSi表面及び界面の水素の分析
-
27p-ZF-9 表面近傍における水素の動的挙動
-
25p-PS-32 W(110)表面上の水素の挙動
-
30p-SPS-22 負イオン生成の新しい試み
-
27p-Z-1 水素様イオンの共鳴励起の研究(II)
-
31a-X-3 高エネルギー重イオンによる0°電子分光(III)
-
4p-L-5 高エネルギー重イオンによる0°電子分光(II)
-
27p-G-6 多価塩素イオンのビーム・フォイル分光 (III)
-
27p-G-3 重イオン衝突におけるREC X線(I)
-
27p-G-2 高分解能X線結晶分光器の試作
-
4p-WA-3 多価塩素イオンのビーム・フォイル分光 II
-
12p-Q-8 高速重イオンによる強磁性体伝導電子の逆モット散乱
-
30p-S-11 相対理論的重イオンによる高速電子生成II
-
30a-Q-9 95MeV/uArイオンと炭素薄膜の衝突における遅延X線生成
-
1a-N-6 重イオン衝撃によるBe,Bの内殻電離
-
2a GD-8 重イオン衝撃によるFのKα, Kα^hX線の測定
-
1a-AB-11 重イオン衝突によるK殻電離のスケーリング
-
5p-TB-7 多価塩素イオンのビーム・フォイル分光
-
2a-R-10 核反応を用いた非晶質シリコン中の水素の定量II
-
2p-YF-10 低速多価イオンによるプロトンスパッタリングに関する研究III
-
6p-H-9 低速多価イオンによるプロトンスパッタリングに関する研究II
-
28a-F-10 低速多価イオンによるプロトンスパッタリングに関する研究
-
10p-T-3 100KeVプロトンによる表面チャネリングの角度依存性
-
30p-YA-6 低速多価イオンとミクロポーラスアルミナとの相互作用II
-
28p-YR-8 低速多価イオンとミクロポーラスアルミナとの相互作用
-
31p-F-5 低速多価イオンによる中空原子生成
-
高速荷電粒子のChanneling III : X線粒子線
-
29p-ZE-5 C_/C_パウダー中の陽電子寿命
-
23p-N-11 Pyrolutic Graphite のイオン・チャネリング
-
貴金属による電子線の非弾性錯乱II : X線粒子線
-
1a-R-7 400 keV〜1MeV電子によるチャネリング放射光 I
-
3p-TG-2 Blocking現象におけるChanneling効果
-
GeによるProtonのBlocking現象における複合核の影響 : 放射線物理
-
23p-N-13 電子線のチャネリング・ブロッキング現象
-
3p-B-4 低速多価イオンによって固体表面から脱離される水素イオンの強い価数依存性
-
13p-Q-1 低速多価イオンによる絶縁体表面のスパッタリングの研究III
-
31p-ZG-1 低速多価イオンによる絶縁体表面のスパッタリングの研究II(放射線物理)
-
25p-L-2 低速多価イオンによる絶縁体のスパッタリングの研究
-
30a-ZG-13 小型Electron Beam Ion Source(EBIS)の製作
-
6p-E-4 高速電子の固体プラズマ励起のMean Free Path
-
藤本文範先生の逝去を悼む
-
東京大学における前期教育改革と教養学部改組計画 (「今、教養学部は? : 教養部改組をめぐって(その1)」)
-
30a-X-12 低速反陽子と炭素薄膜の衝突における前方放出電子のエネルギースペクトル
-
13a-Q-13 低速正負ミュオン入射による二次電子生成
-
8a-Y-2 n型シリコンの放射線損傷のチャンネリングによる測定
-
4p-A-7 単結晶のブロッキング効果による^Al(P,α)^Mg反応の反応時間の測定(II)
-
3p-U-1 単結晶のブロッキング効果による^Al(p,α)^Mg反応時間の測定(I)
-
28pED-9 Ge薄膜結晶中における460MeV/u Fe^のコヒーレント共鳴励起の観測(28pED 原子分子(多価イオン・原子分子一般),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
28a-H-11 H(15N,αγ)12C核反応によるH/W(001)のH振動モードの測定(表面・界面)
-
28p-I-4 水素様イオンの共鳴励起の研究I(放射線物理)
-
27a-ED-7 Alの内殻電離における分子イオン照射効果(原子・分子)
-
3a-D4-4 水素様イオンの共鳴励起の研究III(放射線物理)
-
27a-ED-6 重イオン衝突におけるREC X線(II)(原子・分子)
-
1p-BG-13 ^1H(^N,αγ_1)^C共鳴核反応によるW(100)表面の水素定量(1p BG 表面・界面)
-
28p-M-3 水素様イオンの共鳴励起の研究IV(28pM 放射線)
-
31p-T-5 高速水素イオン-希ガス衝突における電子捕獲微分断面積の測定(31pT 原子・分子,原子・分子)
-
30p-TJ-12 ^1H(^N,αγ)^C共鳴核反応法によるW(110)吸着水素の動的挙動の研究(30pTJ 表面・界面)
-
29a-R-5 高エネルギー重イオンによる0°電子分光(I)(29aR 原子・分子)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク