29a-CM-1 酸素イオンを注入したシリコンの電子スピン共鳴(磁気共鳴)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1986-03-29
著者
関連論文
- 25a-F-6 イオン注入したアモルファスSiO_2の常磁性欠陥に対するHイオン二重注入の効果 II
- 30p-X-5 Siイオンを注入したアモルファスSiO_2のEPRと光吸収
- 3a-S-9 金属微粒子の酸化膜
- 6a-ZE-8 超伝導金属微粒子系における粒子間接合
- 5a-ZC-2 Siイオンを注入したアモルファスSiO_2の常磁性欠陥に対するHイオン二重注入の効果
- 29a-S-4 Siイオンを注入したSiO_2の電子スピン共鳴
- 29a-QD-8 金属微粒子蒸着層における超伝導臨界磁場
- 29a-RC-3 酸素イオンを注入したシリコンの電子スピン共鳴 II
- 4p-F-12 MnF_2微粒子の強磁場磁化過程
- 1a-RC-1 MnF_2微粒子の常磁性共鳴III
- 22p-T-2 Al微粒子の超伝導転移温度
- 3p-D-8 ガス中蒸発法による金属微粒子膜の電気伝導 V
- 1p-GC-6 微粒子の磁気共鳴
- 17pTD-12 高エネルギー重イオン照射による酸化物中の電子励起効果 II
- 28pZE-9 高エネルギー重イオン照射による酸化物中の電子励起効果
- 25p-J-15 イオン照射によるa-SiO_2中のフレンケル欠陥対生成に対する電子励起機構
- 5p-YC-2 アモルファスSiO_2のイオン照射による電子励起効果
- プロトンのイオン注入によるリン酸マグネシウムガラスの電気伝導度の顕著な増大
- 29a-YB-6 a-SiO_2(Ge)のイオン照射効果
- 25p-L-4 SiO_2グラス中の金属クラスター電子構造に対する照射効果
- 26a-O-2 180E散乱陽子エネルギー損失分光法による表面構造解析
- 29a-S-7 高分解能陽子エネルギー損失分光法によるシリコン・金属表面反応の観察
- 29a-S-6 タングステン単結晶表面における陽子エネルギー損失の高分解能測定
- 1a-R-5 エネルギー損失の衝突径数依存性
- 1p-S-6 高分解能表面散乱イオン解析装置によるシリコン-金属界面反応
- 5p-P-9 高分解能表面散乱イオン解析装置
- 5p-P-8 シリコン表面吸着重水素の電子励起脱離
- 5p-P-7 弾性衝突によるシリサイド生成におけるしきいエネルギー
- 2p-RL-3 イオン誘起界面反応
- 11p-G-2 斜入射表面散乱プロトンの高分解能エネルギー分析
- 29a-SA-5 界面反応の阻止能依存性
- 28p-XK-12 低エネルギーイオン衝突による金属及び非金属表面からの2次電子放出率
- 25p-J-13 低エネルギーイオン衝突による固体表面からの2次荷電粒子放出 III
- 5a-YC-10 低エネルギーイオン衝突による固体表面からの2次荷電粒子放出II
- 28a-YD-7 低エネルギーイオン衝突による固体表面からの2次荷電粒子放出
- Ti-V合金のT_1 : 磁気共鳴
- 4p-X-6 W(1^^-11)表面における散乱陽子エネルギー損失分布
- 30a-K-6 Bi 系高温酸化物超伝導体に対するイオン照射効果
- 3p-Y-15 PbをドープしたBi-Sr-Ca-Cu-O超伝導体(高Tc相)のマイクロ波磁気吸収
- 25pYJ-1 高エネルギー重イオン照射によるペロブスカイト型酸化物中の電子励起効果
- 1p-GC-5 ガス中蒸発法による金属微粒子膜の電気伝導 IV
- 11a-F-10 ガス中蒸発法による金属微粒子膜の電気伝導 III
- 11a-F-9 ガス中蒸発法による金属微粒子膜の電気伝導 II
- ガス中蒸発法による金属微粒子の電気伝導 : 金属
- 4p-E4-5 アルミニウムの透過電子スピン共鳴に対するO^+イオン注入の効果
- 7a-I-12 反跳によるMOX線
- 7a-I-11 MO X-rayを用いた内殻空孔の寿命測定
- 29a-YB-3 プロトン導電性酸化物中の注入D^+イオンの異常透過
- 28a-Y-5 イオンと固体表面との相互作用 5.高速イオンによる表面解析
- 28a-Y-5 イオンと固体表面との相互作用 : 5. 高速イオンによる表面解析
- 3p-SH-9 100KeV領域の高分解能イオン散乱分析装置の試作
- 3a-SH-10 スパッタリング収量の半実験式
- 2a-G-6 銅合金の磁気共鳴II
- 31a-X-13 プロトン導電性ペロブスカイト型酸化物における高速注入D^+イオンの異常透過
- 2p-G-9 プロトン導電性酸化物SrCeO_3へのH^+およびD^+照射効果
- 7a-E-9 不純物を含むアルカリ・ハライドにおけるチャネリング効果 III
- 7a-E-8 不純物を含むアルカリ・ハライドにおけるチャネリング効果 II
- 3a-G-7 格子欠陥によるdechanneling
- 7p-F-6 Dechanneling Rateの粒子質量依存性
- 28p-XK-11 導電性酸化物におけるイオン照射効果 : スパッタ率
- 26p-J-5 イオン物性改質における電子励起の役割
- 27a-S-9 薄膜を透過したイオンの非ガウスエネルギー損失分布
- 13p-Q-12 固体内高速イオンの非弾性衝突平均自由工程
- 30p-ZG-5 イオンエネルギー損失分光から見た固体内電子励起(放射線物理シンポジウム)
- 30a-ZG-10 炭素薄膜を透過した分子イオンのエネルギー損失分布(放射線物理)
- 30a-H-12 金属酸化物及び金属へのイオン注入効果
- 30a-ZG-6 カーボン薄膜透過イオンエネルギー損失の高分解能測定
- 2p GD-7 結晶表面における小角散乱を用いた欠陥の深さ分析
- 31a-X-4 高分解能陽子エネルギー損失法によるプラズモン励起の研究II
- 3a-L-5 高分解能陽子エネルギー損失法によるプラズモン励起の研究
- 27p-Z-9 単結晶表面における散乱陽子のエネルギー損失の高分解能力測定
- 25a-G-2 クラスター衝撃核融合率の計算
- 11p-U-7 格子欠陥によるdechanneling II
- 銅合金の磁気緩和 : 磁気共鳴
- 3p-D4-1 単結晶表面における散乱陽子エネルギー損失の高分解能測定II(放射線物理)
- 2p-D3-7 Siイオンを注入したSiO_2のEPR II(磁気共鳴)
- 30p-H-7 Si(111)-Au及び-Pd系の表面近傍における各層組成分析(表面・界面)
- 30a-I-2 タングステン単結晶表面における陽子エネルギー損失の高分解能測定II(放射線物理)
- 31a-L4-8 超伝導Sn微粒子間の結合強度(低温(超伝導一般))
- 31a-A5-5 高分解能表面散乱イオン解析装置II(31a A5 放射線物理)
- 29p-F-9 イオンを注入したSiO_2のEPR III(29p F 磁気共鳴)
- 29a-CM-1 酸素イオンを注入したシリコンの電子スピン共鳴(磁気共鳴)
- 30p-TJ-1 陽子エネルギー損失分析法によるタングステン(111)表面の研究 I : 実験(30pTJ 表面・界面)