11p-U-7 格子欠陥によるdechanneling II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1972-10-10
著者
関連論文
- 10p-S-8 振動子強度の異方性とナフタリン単結晶の内部電場の評価
- 低温照射したNaCl : Mn^の光吸収帯 : イオン結晶
- KBr / Agの低温における照射効果(II) : イオン結晶・光物性
- 2p-L-6 KBr:Agの低温における照射効果
- 2a-L-13 Mn-Z中心のESRと光吸収
- 14a-G-12 アルカリ・ハライド結晶中での各種不純物の偏析係数
- 13a-N-1 アルカリハライド中での照射生成欠陥とMn^++の相互作用II
- 7p-H-6 アルカリ・ハライドでの照射生成欠陥とMn^の相互作用
- X線照射したNaCl : Mnの吸収帯 : イオン結晶・光物性 : 色中心・不純物中心
- 三価不純物を含むアルカリハライドのイオン伝導 : 光物性・イオン結晶
- 4p-TC-7 アルカリ沃化物中の一中心,及び二中心型緩和励起子
- 14p-S-13 アルカリ沃化物におけるπ発光とEx発光
- 3a-Z-1 アルカリ・ヨウ化物結晶における緩和励起子
- 31a GB-7 高温におけるKBr中の格子間ハロゲン中心
- 31a GB-6 ヨウ化アルカリ結晶の緩和励起子発光に対するアルカリ不純物の効果
- 31a GB-2 NaCl結晶における高励起三重項緩和励起子の項間交差
- 29a-WC-6 Ga(100), (110)表面からのレーザー誘起原子脱離
- 3a-BG-5 アルカリハライド中の緩和励起子とその励起状態
- 1p-S-6 高分解能表面散乱イオン解析装置によるシリコン-金属界面反応
- 5p-P-9 高分解能表面散乱イオン解析装置
- 2p-RL-4 ニッケル表面上の偏析不純物のイオン誘起脱離イールドII
- 2p-RL-3 イオン誘起界面反応
- 12p-L-5 レーザ光照射による光分解とトラックエッチング効果
- 11p-G-2 斜入射表面散乱プロトンの高分解能エネルギー分析
- 11p-G-1 ニッケル表面上の偏折不純物のイオン誘起脱離イールド
- 31p-AB-4 MeV重荷電粒子の表面チャネリングの軸依存性
- 12a-Q-5 高密度励起によるアルカリハライドの発光
- 3p-E-1 励起子緩和による体積変化
- 2a-G-6 SrF_2における異った配位の緩和励起子間の光誘起変化
- 5p-NE-4 SrF_2の緩和励起子
- 31p-M-11 三重項緩和励起子・F-H中心対変換と項間交差との相補性
- 1p-K-2 アルカリハライドにおける緩和励起子の最低励起状態からの一重項発光
- 10p-S-4 ナフタリンにおける励起子とラジカルの相互作用
- 14p-S-14 アルカリハライドの緩和励起子に於ける無輻射遷移
- 28a-K-1 アルカリハライドの緩和励起子における状態間無輻射遷移分岐比 II
- 2a-G-5 KBrの緩和励起子のIS→3P励起による項間交差及びF-H中心の生成
- 2a-G-4 アルカリハライドの緩和励起子における状態間無輻射遷移分岐比
- 31p-S-5 1,4ジブロムナフタレン結晶における励起子間相互作用
- 31a-E-2 高密度電子励起による中性粒子放出II : 放出機構
- 31a-E-1 高密度電子励起による中性粒子放出I : 実験
- 7a-I-12 反跳によるMOX線
- 5a-G-1 NaClにおける(V_ke)_の形成機構
- 3a-TB-2 低温で原子炉照射したイオン結晶の光吸収 I
- 27a-Y-7 化合物半導体のレーザー誘起脱離
- 8a-L-8 ダイアモンド格子に於ける陽子のチャネリング効果(II)
- 1a-TD-5 アルカリ・ハライドにおけるチャネリング効果
- 28a-Y-5 イオンと固体表面との相互作用 5.高速イオンによる表面解析
- 28a-Y-5 イオンと固体表面との相互作用 : 5. 高速イオンによる表面解析
- 3a-SH-10 スパッタリング収量の半実験式
- 二重励起分光法によるイオン結晶の光化学反応(V. 励起子の格子緩和と欠陥生成,強結合電子・格子系の動的物性,科研費研究会報告)
- 吹田徳雄先生を悼む
- 1p-S-2 第9回固体内原子衝突国際会議報告II(実験)
- 31p-P-3 Ni-Au合金薄膜の高温下でのAu原子の選択スパッタリング
- 2a-D-1 固体表面におけるイオンの非弾性散乱
- 1p-K-4 NaClにおける高励起緩和励起子の無輻射遷移過程
- 1p-K-1 アルカリ・ハライド緩和励起子におけるAuger遷移
- 第8回固体内原子衝突国際会議に出席して
- ナフタリン結晶中のナフチル・ラジカル : 分子結晶・有機半導体
- 1p-E-1 ナフタリン単結晶の照射効果II
- 15a-M-5 ナフタリン単結晶の照射効果
- 15a-G-5 CdSeの電子線照射効果
- 4a-L-3 CdTeの放射線損傷(II)
- アルカリ・ハライドの放射線損傷機構 : 放射線物理
- ハロゲン化アルカリ中のFrenkel 欠陥
- CdTeの放射線損傷(I) : 格子欠陥
- CdS単結晶における原子変位の閾値 : 格子欠陥
- CdS単結晶に於ける電子線照射効果II : イオン結晶光物性 : 光学的性質II
- II-VI化合物の放射線損傷I : 光物性
- II,VI族化合物の放射線損傷(I)(格子欠陥)
- 8a-D-9 イオン結晶中の着色中心の集合状態 I
- AgCl中のShallow Trap III : イオン結晶
- 5a-NJ-10 アルカリハライドにおける格子間原子のクラスター形成による体積変化
- 6a-KF-10 ラジカルを含むナフタリン・アントラセン単結晶の光伝導の測定
- 4p-TC-9 a-SiO_2における再結合誘起欠陥生成機構
- 11p-S-14 酸化物における再結合誘起欠陥生成
- 27p-SB-32 電子励起によるa-SiO_2の欠陥生成と体積変化
- 5p-J-10 不純物の影響を受けた緩和励起子
- 10p-T-4 MeV重荷電粒子の表面チャネリング : 実験
- 5p-P-3 ハロゲン置換体を含むナフタリン単結晶における三重項励起子の消滅機構
- 4a-L-10 短期時間に導入した高濃度フレンケル欠陥の挙動に対する格子不整の影響
- 3p-P-9 高温における空格子・格子間原子の角結合
- 9a-C-10 放射線照射したナフタリン単結晶中のラジカル
- 3a-K-11 ナフタリン単結晶におけるラジカルの光吸収
- 9p-P-6 イオン結晶の照射損傷における欠陥生成曲線
- 3a-G-7 格子欠陥によるdechanneling
- 7p-F-6 Dechanneling Rateの粒子質量依存性
- 7a-E-7 不純物を含むアルカリ・ハイライドにおけるチャネリング効果
- 9a-Q-4 Geにおける陽子の散乱に対するチャネリング効果
- 29a-F-9 固体表面におけるイオンの非弾性散乱
- 2p GD-7 結晶表面における小角散乱を用いた欠陥の深さ分析
- 13a-N-5 アルカリ・ハライド中の複合H中心
- 13p-Q-3 パルス電子線照射による格子間ハロゲン中心の生成 II
- 13p-Q-2 パルス電子線照射による格子間ハロゲン中心の生成 I
- 色中心の生成
- 6p-B-1 陽子照射による色中心の生成
- 3p-P-2 アルカリハライド中のAg^0原子の光吸収と光電導
- 11p-U-7 格子欠陥によるdechanneling II
- 15a-C-9 ハイドロナフチル・ラジカルのEPRと光吸収
- 陽子照射によるLiFの放射線損傷 : 放射線物理
- 14p-M-3 蒸着膜による低エネルギー陽子の散乱