3p-D4-1 単結晶表面における散乱陽子エネルギー損失の高分解能測定II(放射線物理)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1988-03-31
著者
関連論文
- 地方大学における物理学の教育と研究()
- 17pTD-12 高エネルギー重イオン照射による酸化物中の電子励起効果 II
- 28pZE-9 高エネルギー重イオン照射による酸化物中の電子励起効果
- イオン工学に関する国際会議 (ISIAT '83 & IPAT '83)
- イオン工学に関する国際会議 (ISIAT '83 & IPAT '83)
- 2p-RL-1 スパッタリングの閾値の入射角依存性
- チタニウムの平滑加工におけるガス放出特性
- 25p-J-15 イオン照射によるa-SiO_2中のフレンケル欠陥対生成に対する電子励起機構
- 5p-YC-2 アモルファスSiO_2のイオン照射による電子励起効果
- プロトンのイオン注入によるリン酸マグネシウムガラスの電気伝導度の顕著な増大
- A New Type of the Interatomic Potential
- 2a-RL-8 弾性散乱におけるShall Effect II
- 2a-RL-1 低速核阻止能におけるZ_2依存性
- 11a-G-13 低速核阻止能のZ_2依存性
- 11a-G-11 弾性散乱における Shell effect
- 29p-SA-2 弾性散乱におけるShell Effect.
- 29a-YB-6 a-SiO_2(Ge)のイオン照射効果
- 25p-L-4 SiO_2グラス中の金属クラスター電子構造に対する照射効果
- 26a-O-2 180E散乱陽子エネルギー損失分光法による表面構造解析
- 29a-S-7 高分解能陽子エネルギー損失分光法によるシリコン・金属表面反応の観察
- 29a-S-6 タングステン単結晶表面における陽子エネルギー損失の高分解能測定
- 1a-R-5 エネルギー損失の衝突径数依存性
- 1p-S-6 高分解能表面散乱イオン解析装置によるシリコン-金属界面反応
- 5p-P-9 高分解能表面散乱イオン解析装置
- 5p-P-8 シリコン表面吸着重水素の電子励起脱離
- 5p-P-7 弾性衝突によるシリサイド生成におけるしきいエネルギー
- 2p-RL-3 イオン誘起界面反応
- 11p-G-2 斜入射表面散乱プロトンの高分解能エネルギー分析
- 29a-SA-5 界面反応の阻止能依存性
- 28p-XK-12 低エネルギーイオン衝突による金属及び非金属表面からの2次電子放出率
- 25p-J-13 低エネルギーイオン衝突による固体表面からの2次荷電粒子放出 III
- 5a-YC-10 低エネルギーイオン衝突による固体表面からの2次荷電粒子放出II
- 28a-YD-7 低エネルギーイオン衝突による固体表面からの2次荷電粒子放出
- 28aB04 プラズマ-壁相互作用のデータベースの整備と関連コードのライブラリー化・作業会活動の現状(プラズマ壁相互作用・材料)
- 18pTD-3 CAICISSの計算機シミュレーションによるMgO(001)表面構造解析
- 24pYN-7 NICASSの計算機シミュレーションによる絶縁体KBr(100)表面構造解析
- 27aB-12 NICISSの計算機シミュレーションによるPd(110)表面構造解析
- 25a-J-7 180°NICISS の計算機シミュレーションを用いたNiAl(001) 表面構造解析
- 5p-YC-1 イオン散乱の計算機シミュレーションを用いたNiAl(100)表面構造解析
- 28p-YD-16 低速多価イオンの表面散乱と鏡像エネルギー
- 計算機シミュレ-ションのクラスタ-イオン照射効果への応用
- 30p-YB-7 165°NICISSの計算機シミュレーションを用いたPb(110)表面構造解析
- 2p-PSA-16 負イオンと固体との相互作用における中世化の問題
- 30p-YS-10 180゜(N)ICISSの計算機シミュレーションによるNiAl(111)表面構造解析
- 計算機シミュレーションによるイオンと固体との相互作用の研究
- 30a-ZG-6 NiAl(111)表面における180°He NICISS強度の計算機シミュレーション(放射線物理)
- クラスターイオン・ビーム照射のシミュレーション
- 30a-ZG-2 クラスターイオンと固体の相互作用
- 29p-ZG-10 単結晶表面における180°イオン散乱
- 31a-X-10 多原子散乱モデルによる180°表面イオン散乱
- 30p-TE-6 放射線物理の現状と将来(シミュレーション)
- 4p-X-6 W(1^^-11)表面における散乱陽子エネルギー損失分布
- 4p-X-4 二原子散乱モデルによる180°表面イオン散乱
- 30a-S-8 HCP結晶スパッタリングの計算機シミュレーション
- 3a-E-7 chain modelによるICISS強度の解析
- 1a-RJ-6 ICISSにおけるE-θダイヤグラム
- 11a-G-12 二原子散乱モデルによるICISS強度の温度依存性
- 29a-SA-8 二原子散乱モデルによるICISS強度の解析
- 3p-SH-10 TiC(111)表面における直衝突イオン散乱のシミュレーション
- 2a-R-3 表面散乱におけるイオンのwedge focusing効果
- 26pA15p 軽イオンによってスパッターされた粒子のエネルギー分布に対する新たな理論式(プラズマ基礎/壁相互作用)
- 31p-P-18 重イオン分子線による非線形スパッタリング収量の解析及びシミュレーション
- A New Formula for Energy Spectrum of Sputtered Atoms Due to Low-Energy Light lons
- プラズマ-壁相互作用データベースの構築と関連コードの開発・整備による問題点の把握 : 拡散と表面損耗の複合コード開発の現状
- 高温 Cu-Ni 系の選択スパッタリングと表面組成変化のダイナミカル・シミュレーション
- 29a-L-4 イオンビームスパッター原子の速度分布関数測定によるスパッタリング過程の研究
- 31a-HB-8 高エネルギー重イオン反応の古典的微視的記述
- 3p-DQ-2 単結晶表面におけるイオン散乱の計算機シミュレーション II
- 3a-DQ-5 Sputtering Yieldにおける非線形効果
- 31a-AB-7 単結晶スパッタリングの計算機シミュレーション (II)
- 9p-Z-12 単結晶スパッタリングの計算機シミュレーション
- 9p-Z-11 単結晶表面における低速イオン散乱の計算機シミュレーション
- 3a-SH-10 スパッタリング収量の半実験式
- 3p-NT-5 random target における後方散乱イオンのエネルギー分布 II
- 31p-P-1 random target における後方散乱イオンのエネルギー分布
- 2a-D-3 単結晶における表面散乱の計算機シミュレーション : 反射イオンのエネルギー分布
- 29a-F-10 単結晶表面におけるreflection coefficientの軸依存性 II
- 5a-S-3 単結晶表面におけるion reflection coefficient の軸依存性
- 2a GD-1 単結晶表面におけるイオン散乱の計算機シミュレーション III
- 27p-Z-9 単結晶表面における散乱陽子のエネルギー損失の高分解能力測定
- 斜入射軽イオンスパッタリングの角度分布
- 2a-RL-9 Doyle-Turnerポテンシャルを用いた陽電子面チャネリング放射光の解析
- 11p-G-11 MeV電子の軸チャネリング放射光
- 11p-G-10 陽電子チャネリング放射光
- 2a GD-2 固体表面におけるイオンの"水切り"効果の計算桟シミュレーション
- 3a-DQ-2 固体表面におけるイオンの"水きり"効果のシミュレーション
- 29a-SA-3 陽電子チャネリング放射光の偏り
- 3a-SH-4 チャネリング軌道放射光の偏り
- 30a-M-11 電子チャネリング軌道放射の角度分布と軸依存性
- 2p-N-9 チャネリング軌道放射のシミュレーション
- 4a-U-12 チャネリング軌道放射のシミュレーション
- 29p-P-7 チャンネリングにおける軌道放射 (II)
- 2a-M-11 電子チャンネリングにおける軌道放射
- 3p-D4-1 単結晶表面における散乱陽子エネルギー損失の高分解能測定II(放射線物理)
- 30a-I-2 タングステン単結晶表面における陽子エネルギー損失の高分解能測定II(放射線物理)
- 30a-LK-10 スパッター鉄原子,炭素原子のレーザー蛍光分光法による計測(プラズマ物理・核融合(原子過程とプラズマ診断))
- 3a-D4-7 SnTe結晶表面における軽イオン散乱の方位角依存性(放射線物理)
- 30a-CH-4 単結晶におけるスパッタリングの計算機シミュレーション(放射線物理,第41回年会)
- 31a-A5-9 非対称セミチャネルにおけるイオン散乱のフォーカシング効果(31a A5 放射線物理)
- 30p-TJ-1 陽子エネルギー損失分析法によるタングステン(111)表面の研究 I : 実験(30pTJ 表面・界面)