29a-YB-3 プロトン導電性酸化物中の注入D^+イオンの異常透過
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
26pWD-12 高エネルギーイオンによるAlドープZnOの物性変化(26pWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
19pYR-11 多結晶SiO_2膜の高エネルギーイオン照射効果:結晶粒配向整列(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
19aYA-7 AlドープZnO薄膜の電気特性に対する高エネルギー重イオン照射効果(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
25pYJ-6 イオンビームによるCu_2O薄膜の電子構造改質(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
17pTD-12 高エネルギー重イオン照射による酸化物中の電子励起効果 II
-
28pZE-9 高エネルギー重イオン照射による酸化物中の電子励起効果
-
25p-J-15 イオン照射によるa-SiO_2中のフレンケル欠陥対生成に対する電子励起機構
-
5p-YC-2 アモルファスSiO_2のイオン照射による電子励起効果
-
プロトンのイオン注入によるリン酸マグネシウムガラスの電気伝導度の顕著な増大
-
29a-YB-6 a-SiO_2(Ge)のイオン照射効果
-
25p-L-4 SiO_2グラス中の金属クラスター電子構造に対する照射効果
-
26a-O-2 180E散乱陽子エネルギー損失分光法による表面構造解析
-
29a-S-7 高分解能陽子エネルギー損失分光法によるシリコン・金属表面反応の観察
-
29a-S-6 タングステン単結晶表面における陽子エネルギー損失の高分解能測定
-
1a-R-5 エネルギー損失の衝突径数依存性
-
1p-S-6 高分解能表面散乱イオン解析装置によるシリコン-金属界面反応
-
5p-P-9 高分解能表面散乱イオン解析装置
-
5p-P-8 シリコン表面吸着重水素の電子励起脱離
-
5p-P-7 弾性衝突によるシリサイド生成におけるしきいエネルギー
-
2p-RL-3 イオン誘起界面反応
-
11p-G-2 斜入射表面散乱プロトンの高分解能エネルギー分析
-
29a-SA-5 界面反応の阻止能依存性
-
28p-XK-12 低エネルギーイオン衝突による金属及び非金属表面からの2次電子放出率
-
25p-J-13 低エネルギーイオン衝突による固体表面からの2次荷電粒子放出 III
-
5a-YC-10 低エネルギーイオン衝突による固体表面からの2次荷電粒子放出II
-
28a-YD-7 低エネルギーイオン衝突による固体表面からの2次荷電粒子放出
-
5a-S-10 発光測定による化合物半導体中のMeVイオンのトラック構造
-
2a GD-9 イオンビーム照射発光によるアルカリハライド表面層中の不純物
-
7a-Q-4 重荷電粒子照射によるアルカリ・ハライドの発光
-
4p-X-6 W(1^^-11)表面における散乱陽子エネルギー損失分布
-
30a-K-6 Bi 系高温酸化物超伝導体に対するイオン照射効果
-
31a-P-4 アルカリハライドの固有発光に対するLET効果(II)
-
2p-D-9 アルカリハライドの固有発光に対するLET効果
-
30a-J-6 放射線照射によるNaCl結晶への不純物の導入
-
25pYJ-1 高エネルギー重イオン照射によるペロブスカイト型酸化物中の電子励起効果
-
7a-I-12 反跳によるMOX線
-
7a-I-11 MO X-rayを用いた内殻空孔の寿命測定
-
29a-YB-3 プロトン導電性酸化物中の注入D^+イオンの異常透過
-
28a-Y-5 イオンと固体表面との相互作用 5.高速イオンによる表面解析
-
28a-Y-5 イオンと固体表面との相互作用 : 5. 高速イオンによる表面解析
-
3p-SH-9 100KeV領域の高分解能イオン散乱分析装置の試作
-
3a-SH-10 スパッタリング収量の半実験式
-
3a-G-9 チャネリング法などによるSi中の拡散金の位置決定
-
31a-X-13 プロトン導電性ペロブスカイト型酸化物における高速注入D^+イオンの異常透過
-
2p-G-9 プロトン導電性酸化物SrCeO_3へのH^+およびD^+照射効果
-
7p-P-8 デイチャネリングと格子欠陥
-
7a-E-9 不純物を含むアルカリ・ハライドにおけるチャネリング効果 III
-
7a-E-8 不純物を含むアルカリ・ハライドにおけるチャネリング効果 II
-
3a-N-7 KCl-KBr混晶におけるプロトンのDechanneling
-
3a-G-7 格子欠陥によるdechanneling
-
7p-F-6 Dechanneling Rateの粒子質量依存性
-
28p-XK-11 導電性酸化物におけるイオン照射効果 : スパッタ率
-
26p-J-5 イオン物性改質における電子励起の役割
-
27a-S-9 薄膜を透過したイオンの非ガウスエネルギー損失分布
-
13p-Q-12 固体内高速イオンの非弾性衝突平均自由工程
-
30p-ZG-5 イオンエネルギー損失分光から見た固体内電子励起(放射線物理シンポジウム)
-
30a-ZG-10 炭素薄膜を透過した分子イオンのエネルギー損失分布(放射線物理)
-
30a-H-12 金属酸化物及び金属へのイオン注入効果
-
30a-ZG-6 カーボン薄膜透過イオンエネルギー損失の高分解能測定
-
2p GD-7 結晶表面における小角散乱を用いた欠陥の深さ分析
-
3a-N-6 チャネリング法などによるSi中の拡散金の位置決定(その2)
-
31a-X-4 高分解能陽子エネルギー損失法によるプラズモン励起の研究II
-
3a-L-5 高分解能陽子エネルギー損失法によるプラズモン励起の研究
-
27p-Z-9 単結晶表面における散乱陽子のエネルギー損失の高分解能力測定
-
5a-K-6 絶縁体中の重イオンによるX線発生
-
14a-D-6 重荷電粒子照射によるアルカリ・ハライドの発光
-
14a-D-5 重イオン衝撃によるX線発生に対する照射効果
-
25a-G-2 クラスター衝撃核融合率の計算
-
10a-N-7 アルカリ・ハライドにおける不純物・格子間ハロゲン複合体の構造決定
-
11p-U-7 格子欠陥によるdechanneling II
-
3p-D4-1 単結晶表面における散乱陽子エネルギー損失の高分解能測定II(放射線物理)
-
2p-K3-6 高エネルギー陽子反射スペクトルにおける弾性散乱ピークを利用した表面解析法(表面・界面)
-
30p-H-7 Si(111)-Au及び-Pd系の表面近傍における各層組成分析(表面・界面)
-
30a-I-2 タングステン単結晶表面における陽子エネルギー損失の高分解能測定II(放射線物理)
-
31p-W-8 低エネルギーイオン衝撃による2次電子放出(31pW 放射線物理,放射線物理)
-
31a-A5-5 高分解能表面散乱イオン解析装置II(31a A5 放射線物理)
-
30p-CH-11 Cr-Graphite界面における熱的及びイオン誘起反応(放射線物理,第41回年会)
-
29a-CM-1 酸素イオンを注入したシリコンの電子スピン共鳴(磁気共鳴)
-
30p-TJ-1 陽子エネルギー損失分析法によるタングステン(111)表面の研究 I : 実験(30pTJ 表面・界面)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク