Bootstrap形ドライバ回路内蔵高速GaN HEMTsバックコンバータの試作結果(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
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概要
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エンベロープトラッキング(ET)増幅器において,3GPP LTEやWiMAXなどの広帯域変調信号力鼎られる場合においても高効率な特性を維持するためには,エンベロープ信号を増幅するエンベロープ増幅器の高効率動作が課題の一つとなる.本報告では,Bootstrap形ドライバ回路を内蔵したGaN HEMTスイッチング増幅器,直流電流フィードインダクタ,およびローパスフィルタにより構成するバックコンバータを提案する.Bootstrap形ドライバ回路を適用することにより低電源電圧での動作が可能となり,その結果ドライバ回路の消費電力を低減しスイッチング増幅器の全体効率を改善することができる.提案のバックコンバータを試作し,変調帯域幅20MHzのLTEエンベロープ信号を用いて評価した結果,出力電力3.2W,ドライバ回路を含めたスイッチング増幅器の全体効率73%を得た.
- 2013-07-11
著者
-
新庄 真太郎
三菱電機株式会社
-
向井 謙治
三菱電機株式会社
-
Hong Young-Pyo
University of California
-
Gheidi Hames
University of California
-
Asbeck Peter
University of California
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