ベース電圧自己補償形バイアス回路内蔵SiGe HBTドライバ増幅器の温度依存性
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概要
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ベース電圧自己補償形定電圧バイアス回路を内蔵したSiGe HBTドライバ増幅器の温度依存性を検討した。本バイアス回路は、カレントミラー形定電圧バイアス回路にP-MOSFETカレントミラー回路を付加した構成であるため、ドライバ増幅器のもつ温度特性を補償することができる。ベース電流が増加する高出力電力時にはベース電圧は温度に依存せず増加傾向を示すため、常に低***電流動作と低ひずみな増幅器を実現する。シミュレーションの結果、カレントミラー形定電圧バイアス回路を用いた増幅器と比較し、-20から85度の温度範囲においてPldBが2.3dB以上改善された。試作により、シミュレーション結果と同様に低***電流動作時に高いPldBを得ることができ、本バイアス回路が良好な温度特性を持つことが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-07-18
著者
-
森 一富
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
末松 憲治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
新庄 真太郎
三菱電機株式会社
-
上馬 弘敬
三菱電機株式会社
-
森 一富
三菱電機株式会社
-
末松 憲治
三菱電機株式会社
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