p-MOSFETカレントミラー回路を用いたベース電圧自己補償形バイアス回路内蔵SiGe HBTドライバ増幅器
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概要
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低***電流動作且つ低ひずみなSiGe HBTドライバ増幅器を実現するために、ベース電圧自己補償形定電圧バイアス回路を提案し、試作によりその有効性を確認した。提案の回路は通常の定電圧バイアス回路にp-MOSFETカレントミラー回路を付加した構成である。ベース電流が増加する高出力電力時に自動的に定電圧バイアス回路を流れる基準電流を増加させることによりベース電圧の電圧降下を抑制し、低***電流動作で低いひずみな特性を実現することができる。また、MMICに容易に内蔵することが可能であり、将来の送受信システムチップ化に適している。計算の結果、通常の定電圧バイアス回路を用いた増幅器と比較しP_1dBが3.0dB改善された。試作の結果、15.3mAの***電流動作時に14.9dBmのP_1dBを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-09-07
著者
-
森 一富
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
末松 憲治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
新庄 真太郎
三菱電機株式会社
-
上馬 弘敬
三菱電機株式会社
-
森 一富
三菱電機株式会社
-
末松 憲治
三菱電機株式会社
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