高速GaN HEMTs バックコンバータ
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概要
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エンベロープトラッキング(ET)増幅器において,3GPP LTEやWiMAXなどの広帯域変調信号が用いられる場合においても高効率な特性を維持するためには,エンベロープ信号を増幅するエンベロープ増幅器の高効率動作が課題の一つとなる.本報告では,GaN HEMTを用いたD級スイッチング増幅器,直流電流フィードインダクタ,およびローパスフィルタにより構成するバックコンバータを提案する.提案のバックコンバータを試作し,変調帯域幅20MHzのLTEエンベロープ信号を用いて評価した結果,出力電力1.9W,ドライバ回路を含めた全体効率64.1%を得た.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-02-27
著者
-
新庄 真太郎
三菱電機株式会社
-
Asbeck Peter
University Of California San Diego
-
新庄 真太郎
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
Hong Young-Pyo
University of California
-
Gheidi Hames
University of California
-
Kimball Donald
University of California
-
Asbeck Peter
University of California
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