27aXS-10 亜リン酸グリシンの強誘電相転移(27aXS 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-03-01

著者

• 中谷 訓幸

  富山大 工

• 山崎 登志成

  富山大学

• ナイマ ジャンナトゥール

  富山大工

• 喜久田 寿郎

  富山大

• 若林 浩史

  富山大

• 中谷 訓幸

  富山大

• 山崎 登志成

  富山大

関連論文

• 28aRB-8 硫酸グリシンへのアミノ酸のドーピング(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 焦電検出法による硫酸グリシンの分極反転の観察
• リンをド-プした硫酸グリシン単結晶の作製とその強誘電的特性
• 焦電検出法を用いた硫酸グリシンの強誘電分域構造の観察
• 20aXA-5 L-トレオニンおよびL-メチオニンをドープしたTGS単結晶の作製と強誘電特性(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 30pYA-10 L-リシンをドープしたTGSの強誘電特性(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 反強誘電性液晶セルの光学応答特性
• 31aXJ-6 GPI (亜リン酸グリシン)の強誘電相転移の研究
• スパッタ膜のパターン形成用金属マスクの熱変形
• マスクを用いたスパッタ膜のパターン形成
• スパッタ膜のパターン形成用金属マスクの有限要素法熱変形解析
• 21pVE-6 亜リン酸グリシンの強誘電性へのX線照射効果(21pVE 誘電体(水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aXA-3 強誘電軸に垂直な電場による強誘電性への影響2(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 30pYA-9 TGSの分極反転における結晶構造の変化(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27pYR-5 TAAPにおける重水素置換効果(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 27aYR-8 強誘電軸に垂直な電場による強誘電性への影響1(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• WO_3薄膜の膜密度とNO_2ガス検出特性(薄膜プロセス・材料,一般)
• WO_3薄膜の膜密度とNO_2ガス検出特性
• 気相成長によるシリコン結晶について
• 重水素置換した亜リン酸グリシンの強誘電特性
• 25aYQ-10 亜リン酸グリシン単結晶の作製
• 強誘電履歴曲線の精密自動反転
• 3a-R-10 リン酸をドープしたTGSの特性
• 硫酸グリシンの強誘電分域構造に対する熱処理効果
• 硫酸グリシンの強誘電分域壁の誘電率への寄与
• 走査型電子顕微鏡による硫酸グリシンの強誘電分域の観察
• 硫酸グリシンの分極反転
• 硫酸グリシンの焦電気電流と自発分極
• Al/Ti積層材のTi-Al-N薄膜用スパッタターゲットへの応用
• 12p-K-13 TGSの分極反転 I
• 27aXS-10 亜リン酸グリシンの強誘電相転移(27aXS 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク